晶体管结构英文解释翻译、晶体管结构的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistor structure

分词翻译：

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

结构的英语翻译：

frame; structure; composition; configuration; construction; fabric; mechanism
【计】 frame work
【医】 constitution; formatio; formation; installation; structure; tcxture

专业解析

晶体管（Transistor）是一种基于半导体材料构建的三端电子器件，其核心结构由发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）组成（双极型晶体管，BJT）或源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）组成（场效应晶体管，FET）。其结构设计通过掺杂不同半导体区域（如N型和P型）形成PN结，并通过电压或电流控制载流子运动，从而实现信号放大、开关控制等功能。

晶体管结构的关键特征

双极型晶体管（BJT）结构
- 由三层半导体材料交替排列（NPN或PNP型），基极极薄且低掺杂，发射极高掺杂以注入载流子，集电极面积较大以收集载流子。
- 典型工作模式包括放大区、饱和区和截止区，由基极电流控制集电极-发射极电流。
场效应晶体管（FET）结构
- 包括金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）和结型场效应晶体管（JFET）。以栅极电压调控导电沟道宽度，从而控制漏极-源极电流。
- MOSFET进一步分为增强型和耗尽型，结构包含氧化层（如SiO₂）作为绝缘介质。
材料与制造工艺
- 主要采用硅（Si）或化合物半导体（如GaN、SiC），通过光刻、离子注入和化学气相沉积（CVD）等工艺形成纳米级结构。

权威参考文献

双极型晶体管原理：美国电气电子工程师协会（IEEE）对BJT的经典分析[参考：IEEE Xplore]
场效应晶体管技术：英国《电子工程杂志》（Electronics Tutorials）对FET的详解[参考：Electronics Tutorials]
半导体制造技术：德国《应用物理学期刊》（Applied Physics Letters）关于现代晶体管工艺的研究[参考：Applied Physics Letters]

网络扩展解释

晶体管的结构根据其类型（如双极型晶体管BJT或场效应晶体管FET）有所不同，但核心均由半导体材料构成，通过控制电流或电压实现信号处理功能。以下是主要结构特点的

一、双极型晶体管（BJT）结构

三个区域与电极
- 发射区（Emitter）：掺杂浓度高，负责向基区注入载流子（如电子或空穴）。
- 基区（Base）：极薄且掺杂浓度低，用于控制载流子的传输量，是电流放大的关键区域。
- 集电区（Collector）：面积较大，收集从基区扩散的载流子，形成输出电流。
  对应的三个电极为发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。
PN结组合
BJT由两个PN结（发射结和集电结）组成，根据排列方式分为NPN型和PNP型。

二、场效应晶体管（FET）结构

三个电极与沟道
- 源极（Source）：载流子流入端。
- 漏极（Drain）：载流子流出端。
- 栅极（Gate）：通过施加电压控制沟道导电性，实现开关或放大功能。
- 沟道（Channel）：源极与漏极之间的半导体区域，栅极电压变化可改变其导电状态（导通或关闭）。

三、结构对功能的影响

放大作用：BJT通过基极电流微小变化控制集电极电流大幅变化，实现信号放大。
开关作用：FET通过栅极电压控制沟道通断，以二进制“0”和“1”表示状态。

四、补充说明

晶体管广义上包含二极管、三极管等多种半导体器件，但狭义常指三极管。其结构设计使其具备体积小、功耗低、响应速度快等优势，成为现代电子技术的核心元件。