
【机】 grain growth
【化】 grain
develop; grow; grow up; growth; plant; spring; upgrowth
【医】 growth; vegetation
晶粒生长(Grain Growth)的汉英词典释义与材料科学解析
在材料科学与冶金工程领域,“晶粒生长”(Grain Growth)是一个核心概念,指多晶体材料在高温下(通常在再结晶完成之后),其内部晶粒尺寸随时间延长而逐渐增大的过程。此过程旨在降低系统的总能量,主要通过晶界(Grain Boundary)的迁移来实现。英文术语为Grain Growth。
详细释义与机制:
驱动力与本质: 晶粒生长的根本驱动力是降低系统的总晶界能。晶界是晶体中原子排列不规则、能量较高的区域。较小的晶粒具有更大的总晶界面积和更高的总晶界能。通过晶界向曲率中心迁移,较小的晶粒被较大的晶粒“吞并”,导致平均晶粒尺寸增大,总晶界面积和能量降低,系统趋向更稳定的状态。这是一种自发过程。
发生条件: 晶粒生长通常发生在再结晶完成之后,当材料处于足够高的温度(通常高于材料熔点的0.5倍,即0.5Tm)下保温时。高温提供了原子扩散所需的激活能,使晶界能够迁移。该过程是时间依赖性和温度依赖性的。
类型:
影响因素:
影响与意义: 晶粒尺寸是决定金属和合金许多力学性能(如强度、韧性、塑性、疲劳性能)和物理性能的关键因素。通过控制晶粒生长(例如利用第二相粒子钉扎或控制热处理工艺),可以优化材料的性能。粗大的晶粒通常导致材料强度和韧性下降(Hall-Petch关系),但也可能有益于某些特殊性能,如某些软磁材料的磁导率。
权威参考来源:
晶粒生长是材料科学中的重要概念,指材料中晶粒尺寸在特定条件下(如高温热处理)逐渐增大的过程。以下是详细解释:
晶粒生长是无应变的材料在热处理时,晶粒尺寸通过晶界移动而连续均匀增大的过程。其本质是晶界向曲率中心迁移,以降低系统自由能。这一过程并非小晶粒的简单粘结,而是原子通过扩散重新排列的结果。
晶粒生长的驱动力主要来自晶界两侧的自由能差。弯曲晶界趋向平直化以减少界面面积,同时大角度晶界的迁移率更高,推动晶界移动。数学上,驱动力可表示为: $$ Delta G = gamma cdot kappa $$ 其中$gamma$为晶界能,$kappa$为晶界曲率。
晶粒生长是连续、均匀的过程,而二次再结晶是少数大晶粒异常快速生长的非连续过程,两者推动力不同(前者为表面能,后者为应变能)。
晶粒尺寸直接影响材料的力学性能(如强度、韧性)和热稳定性。例如,硅钢中晶粒过大会降低磁导率,需通过控制退火温度抑制过度生长。
如需进一步了解晶界迁移机制或具体材料案例,、等来源。
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