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晶粒生长英文解释翻译、晶粒生长的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【机】 grain growth

分词翻译:

晶粒的英语翻译:

【化】 grain

生长的英语翻译:

develop; grow; grow up; growth; plant; spring; upgrowth
【医】 growth; vegetation

专业解析

晶粒生长(Grain Growth)的汉英词典释义与材料科学解析

在材料科学与冶金工程领域,“晶粒生长”(Grain Growth)是一个核心概念,指多晶体材料在高温下(通常在再结晶完成之后),其内部晶粒尺寸随时间延长而逐渐增大的过程。此过程旨在降低系统的总能量,主要通过晶界(Grain Boundary)的迁移来实现。英文术语为Grain Growth。

详细释义与机制:

  1. 驱动力与本质: 晶粒生长的根本驱动力是降低系统的总晶界能。晶界是晶体中原子排列不规则、能量较高的区域。较小的晶粒具有更大的总晶界面积和更高的总晶界能。通过晶界向曲率中心迁移,较小的晶粒被较大的晶粒“吞并”,导致平均晶粒尺寸增大,总晶界面积和能量降低,系统趋向更稳定的状态。这是一种自发过程。

  2. 发生条件: 晶粒生长通常发生在再结晶完成之后,当材料处于足够高的温度(通常高于材料熔点的0.5倍,即0.5Tm)下保温时。高温提供了原子扩散所需的激活能,使晶界能够迁移。该过程是时间依赖性和温度依赖性的。

  3. 类型:

    • 正常晶粒生长(Normal Grain Growth): 也称为连续晶粒生长。在此过程中,晶粒尺寸分布相对均匀,平均晶粒尺寸随时间推移而单调增大,晶粒形状趋于等轴状。晶界迁移相对平缓、连续。
    • 异常晶粒生长(Abnormal Grain Growth) / 二次再结晶(Secondary Recrystallization): 在此过程中,少数晶粒会异常迅速地长大,远超基体中的平均晶粒尺寸,最终形成非常粗大的晶粒组织。这通常是由于存在抑制大多数晶界迁移的因素(如弥散分布的第二相粒子、强烈的织构或表面能效应),而少数晶粒因特殊取向或位置优势得以克服抑制而快速长大, 。
  4. 影响因素:

    • 温度: 温度升高显著加速晶粒生长速率(遵循Arrhenius关系)。
    • 时间: 保温时间越长,晶粒尺寸越大。
    • 初始晶粒尺寸: 初始晶粒越细小,生长驱动力越大。
    • 杂质与第二相粒子: 溶质原子(杂质)偏聚在晶界会阻碍晶界迁移(溶质拖曳效应)。细小、弥散分布的第二相粒子(Zener钉扎)能有效钉扎晶界,强烈抑制晶粒生长。
    • 织构: 晶粒的择优取向会影响不同晶界(如小角度晶界、大角度晶界)的迁移率。
    • 样品厚度/尺寸效应: 在薄膜或细丝中,表面能或界面能可能成为重要影响因素, , 。
  5. 影响与意义: 晶粒尺寸是决定金属和合金许多力学性能(如强度、韧性、塑性、疲劳性能)和物理性能的关键因素。通过控制晶粒生长(例如利用第二相粒子钉扎或控制热处理工艺),可以优化材料的性能。粗大的晶粒通常导致材料强度和韧性下降(Hall-Petch关系),但也可能有益于某些特殊性能,如某些软磁材料的磁导率。

权威参考来源:

  1. 《材料科学基础》(Fundamentals of Materials Science) - 经典教材: 详细阐述晶界结构、能量、迁移驱动力及晶粒生长动力学模型。来源:[大学材料科学课程通用教材]
  2. ASM Handbook, Volume 4: Heat Treating: 权威手册,包含金属材料在热处理过程中组织演变(包括再结晶与晶粒生长)的详细描述与控制方法。来源:[ASM International出版物]
  3. 《物理冶金学原理》(Physical Metallurgy Principles) - Reed-Hill & Abbaschian: 深入解释晶粒生长的热力学与动力学基础,以及异常晶粒生长现象。来源:[经典物理冶金教材]
  4. Materials Science and Engineering: An Introduction - Callister & Rethwisch: 广泛使用的入门教材,清晰解释晶粒生长概念及其对材料性能的影响。来源:[通用材料科学与工程教材]

网络扩展解释

晶粒生长是材料科学中的重要概念,指材料中晶粒尺寸在特定条件下(如高温热处理)逐渐增大的过程。以下是详细解释:

1.定义与本质

晶粒生长是无应变的材料在热处理时,晶粒尺寸通过晶界移动而连续均匀增大的过程。其本质是晶界向曲率中心迁移,以降低系统自由能。这一过程并非小晶粒的简单粘结,而是原子通过扩散重新排列的结果。

2.驱动力

晶粒生长的驱动力主要来自晶界两侧的自由能差。弯曲晶界趋向平直化以减少界面面积,同时大角度晶界的迁移率更高,推动晶界移动。数学上,驱动力可表示为: $$ Delta G = gamma cdot kappa $$ 其中$gamma$为晶界能,$kappa$为晶界曲率。

3.影响因素

4.与二次再结晶的区别

晶粒生长是连续、均匀的过程,而二次再结晶是少数大晶粒异常快速生长的非连续过程,两者推动力不同(前者为表面能,后者为应变能)。

5.实际意义

晶粒尺寸直接影响材料的力学性能(如强度、韧性)和热稳定性。例如,硅钢中晶粒过大会降低磁导率,需通过控制退火温度抑制过度生长。

如需进一步了解晶界迁移机制或具体材料案例,、等来源。

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