介电工艺英文解释翻译、介电工艺的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 ***lectric process

分词翻译：

介的英语翻译：

interpose; mind; shell; take seriously; upright
【化】 meso-; meta-
【医】 carapace

电的英语翻译：

electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

工艺的英语翻译：

craft; technics; technology
【计】 MOS technology
【化】 methodology
【经】 technology

专业解析

介电工艺（Dielectric Process）是电子工程与材料科学中的核心概念，指在制造电子器件（如集成电路、电容器）时，对绝缘性材料（介电材料）进行沉积、刻蚀、图形化等处理的技术总称。以下从汉英词典角度分层解析：

一、术语定义与核心特性

中文释义：
“介电”指材料在电场作用下产生电极化但不导电的特性；“工艺”指加工方法。合指利用绝缘材料的极化特性实现电子功能的制造技术。

英文对照：
Dielectric Process（介电工艺）—— Dielectric（介电体：绝缘且可极化的材料）+ Process（加工流程）。

关键特性：高绝缘性（High Insulation）、可调控介电常数（Adjustable Permittivity）、低介电损耗（Low Loss Tangent）。

二、工艺原理与技术分类

介电薄膜沉积
- 化学气相沉积（CVD）：通过化学反应在基片表面生成二氧化硅（SiO₂）等介电层，用于晶体管栅极绝缘。
- 物理气相沉积（PVD）：溅射氮化硅（Si₃N₄）薄膜，提升电容器耐压性。
图形化刻蚀
利用光刻和干法刻蚀（如等离子刻蚀）在介电层上开孔，实现金属互连结构的绝缘隔离。

材料改性
掺杂（如掺碳二氧化硅）或堆叠高κ材料（HfO₂、Al₂O₃），降低寄生电容并增强器件性能。

三、核心应用场景

集成电路制造：
栅极介电层（如Intel 7nm工艺使用High-κ金属栅）控制晶体管开关。

多层陶瓷电容器（MLCC）：
钛酸钡（BaTiO₃）介电层的印刷与烧结工艺决定电容密度。

微机电系统（MEMS）：
氮化硅介电膜用于传感器绝缘支撑结构。

四、技术参数与行业标准

介电常数（κ）：衡量材料储电能力，SiO₂的κ≈3.9，HfO₂可达25。
击穿场强（Breakdown Field）：单位厚度介电层耐受的最大电压，如SiO₂≥10 MV/cm。
厚度控制：纳米级精度（±0.1nm）通过原子层沉积（ALD）实现，公式：
$$ E{text{break}} = frac{V{text{bd}}}{d} $$

其中 ( V_{text{bd}} ) 为击穿电压，( d ) 为介电层厚度。

参考文献

清华大学微电子所.《集成电路工艺原理》. 高等教育出版社, 2020.
IEEE标准协会. IEEE Std 1620-2008: Ferroelectric Materials.
国际半导体技术路线图（ITRS）. Front End Processes Report. 2015.
美国材料试验协会. ASTM D150-11: Dielectric Constant Test Methods.

网络扩展解释

“介电工艺”的英文翻译为dielectric process，其核心含义与介电材料的加工技术相关。以下是综合解释：

1.基本定义

介电（Dielectric）：指在电场中不导电但能极化的材料，常见于电容器、绝缘层等电子元件中。
工艺（Process）：指材料制备、加工或处理的技术流程。结合两者，“介电工艺”可理解为通过特定技术手段制造或处理介电材料的过程。

2.应用领域

半导体制造：用于芯片绝缘层的沉积（如二氧化硅薄膜）。
电子元件生产：如电容器介质层、印刷电路板（PCB）的绝缘处理。
高频器件：介电材料在微波通信、雷达等领域的应用。

3.技术特点

可能涉及薄膜沉积（如化学气相沉积CVD）、光刻蚀刻等微纳加工技术。
需控制材料的介电常数、损耗因子等参数以满足不同场景需求。

4.补充说明

搜索结果中未提供更详细的定义，可能与术语的专业性较强有关。建议参考电子工程、材料科学领域文献或行业标准文件获取进一步信息。

如需具体工艺步骤或案例，可提供更详细的应用场景以便定向补充。