
【计】 rapid random access memory
快速随机存储器(Fast Random Access Memory,简称FRAM或快速RAM)是计算机系统中用于临时存储运行数据和指令的半导体存储器,其核心特征在于“快速存取”与“随机访问”能力。从技术角度解释,该术语包含以下关键点:
物理定义
快速随机存储器基于晶体管电路结构,允许在恒定时间内访问任意存储单元,与机械寻址的磁盘存储形成对比。其读写速度通常以纳秒(ns)为单位,例如DDR4内存延迟可达10-15ns(来源:IEEE固态电路期刊)。
技术特性
• 易失性存储:断电后数据丢失,需持续供电维持信息
• 并行存取架构:通过地址总线实现多任务同时访问
• 刷新机制:动态RAM(DRAM)依赖周期刷新,静态RAM(SRAM)通过双稳态电路保持数据(来源:美光科技白皮书)。
性能指标
主要参数包括时钟频率(如3200MHz)、带宽(GB/s)和延迟周期(CL值)。当前DDR5标准已实现6.4Gbps传输速率(来源:JEDEC固态技术协会)。
应用场景
作为CPU与存储设备间的数据缓冲层,承担着实时数据处理、高速缓存(Cache)及显存等功能。在人工智能计算中,HBM(高带宽内存)通过3D堆叠实现TB/s级带宽(来源:英伟达技术简报)。
“快速随机存储器”这一表述并非计算机科学中的标准术语,可能是对“随机存取存储器(RAM)”或“高速缓存”的通俗化描述。以下结合相关概念进行解释:
RAM(Random Access Memory)是计算机中用于临时存储数据和程序的易失性存储器,特点包括:
若强调“快速”,可能涉及以下两类存储器:
标准术语中并无“快速随机存储器”一词,用户可能想了解:
若需进一步探讨具体技术细节或应用场景,建议提供更精确的术语或上下文。
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