
【計】 rapid random access memory
快速隨機存儲器(Fast Random Access Memory,簡稱FRAM或快速RAM)是計算機系統中用于臨時存儲運行數據和指令的半導體存儲器,其核心特征在于“快速存取”與“隨機訪問”能力。從技術角度解釋,該術語包含以下關鍵點:
物理定義
快速隨機存儲器基于晶體管電路結構,允許在恒定時間内訪問任意存儲單元,與機械尋址的磁盤存儲形成對比。其讀寫速度通常以納秒(ns)為單位,例如DDR4内存延遲可達10-15ns(來源:IEEE固态電路期刊)。
技術特性
• 易失性存儲:斷電後數據丢失,需持續供電維持信息
• 并行存取架構:通過地址總線實現多任務同時訪問
• 刷新機制:動态RAM(DRAM)依賴周期刷新,靜态RAM(SRAM)通過雙穩态電路保持數據(來源:美光科技白皮書)。
性能指标
主要參數包括時鐘頻率(如3200MHz)、帶寬(GB/s)和延遲周期(CL值)。當前DDR5标準已實現6.4Gbps傳輸速率(來源:JEDEC固态技術協會)。
應用場景
作為CPU與存儲設備間的數據緩沖層,承擔着實時數據處理、高速緩存(Cache)及顯存等功能。在人工智能計算中,HBM(高帶寬内存)通過3D堆疊實現TB/s級帶寬(來源:英偉達技術簡報)。
“快速隨機存儲器”這一表述并非計算機科學中的标準術語,可能是對“隨機存取存儲器(RAM)”或“高速緩存”的通俗化描述。以下結合相關概念進行解釋:
RAM(Random Access Memory)是計算機中用于臨時存儲數據和程式的易失性存儲器,特點包括:
若強調“快速”,可能涉及以下兩類存儲器:
标準術語中并無“快速隨機存儲器”一詞,用戶可能想了解:
若需進一步探讨具體技術細節或應用場景,建議提供更精确的術語或上下文。
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