跨导英文解释翻译、跨导的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transconductance

分词翻译：

跨的英语翻译：

bestrad; cut across; step; straddle; stride
【机】 amphi-

导的英语翻译：

guide; lead; teach; transmit
【医】 guidance; guide

专业解析

跨导（Transconductance）是电子工程领域描述有源器件放大能力的关键参数，英文术语为"Transconductance"，符号记为Gₘ。其定义为输入电压变化量与输出电流变化量的比值，数学表达式为： $$ Gₘ = frac{Delta I{out}}{Delta V{in}} $$ 该公式体现了器件将电压信号转换为电流信号的能力。

在半导体器件中，跨导广泛应用于场效应晶体管（FET）和真空管等元件的性能分析。以MOSFET为例，其跨导与载流子迁移率、栅极电容及工作点偏置电压直接相关，具体关系可参考《半导体器件物理》教材中的线性区跨导公式推导。

国际电气与电子工程师协会（IEEE）在《固态电路期刊》中明确指出，跨导参数是评估放大器电路增益稳定性的核心指标，特别是在射频电路设计中，高跨导值能显著提升信号传输效率。美国国家标准技术研究院（NIST）的测量手册则规范了跨导的标准测试方法，要求使用精密电流-电压转换器进行动态特性检测。

需特别注意的是，跨导与输出电导（gₒ）共同构成电子器件的本征增益（G=Gₘ/gₒ），这一关系在CMOS集成电路设计手册中被列为噪声优化设计的基础理论依据。

网络扩展解释

跨导（Transconductance，符号为 ( g_m )）是电子工程中的一个核心参数，用于描述电压控制型器件（如场效应晶体管、真空管）的输入电压对输出电流的控制能力。其定义为输出电流变化量（ΔI_out）与输入电压变化量（ΔV_in）的比值，数学表达式为：

$$ gm = frac{Delta I{text{out}}}{Delta V_{text{in}}} $$

关键特性与意义：

物理意义
跨导反映了器件的放大效率。例如，在场效应管（FET）中，( gm ) 表示栅极-源极电压（( V{GS} )）微小变化引起的漏极电流（( I_D )）变化。公式可写为： $$ g_m = frac{dID}{dV{GS}} $$
单位
跨导的单位是西门子（S），与电导单位相同，但意义不同：电导描述同一端口的电流-电压关系，而跨导描述不同端口间的跨维度控制。
与器件类型的关系
- 场效应管（FET）：跨导与偏置电压、沟道尺寸相关，通常随 ( V_{GS} ) 增大而提高。
- 双极型晶体管（BJT）：跨导与集电极电流 ( I_C ) 成正比，( g_m = frac{I_C}{V_T} )（( V_T ) 为热电压，约26mV@室温）。
应用场景
跨导是放大器设计的核心参数，直接影响电压增益（如共源放大器的增益 ( A_v = -g_m cdot R_D )）。在跨导放大器（OTA）中，输出电流直接由输入电压控制，常用于滤波器和模拟信号处理。

示例说明

若某场效应管的 ( g_m = 2 , text{mS} )，则输入电压每变化1mV，漏极电流变化2μA。这种特性使其能高效地将小信号电压转换为电流信号，适用于低噪声放大电路。

如需进一步了解具体器件（如MOSFET、JFET）的跨导计算或电路设计中的应用，可提供补充信息。