空虚层晶体管英文解释翻译、空虚层晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 depletion-layer transistor

分词翻译：

空虚的英语翻译：

blankness; vacancy; airiness; emptiness; hollowness; vacuity

层的英语翻译：

layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

"空虚层晶体管"（kōng xū céng jīng tǐ guǎn）是一个在半导体物理与微电子学领域出现的专业术语，其英文对应术语通常为Depletion-Mode Transistor 或更具体地指Depletion-Mode Field-Effect Transistor (Depletion-Mode FET)。

以下是其详细解释：

核心概念 - "空虚层" (Depletion Layer/Region)：
- 在半导体器件（如晶体管）中，"空虚层"（耗尽层）指的是半导体内部靠近 PN 结或金属-半导体接触界面附近的一个特殊区域。在这个区域内，可自由移动的载流子（电子或空穴）被"耗尽"或显著减少，形成了一个几乎没有自由电荷载流子的区域。该区域主要由固定不动的电离杂质电荷构成，因此称为"空虚层"或"耗尽层"。它的形成是由于内建电场或外加电场的作用。
- 来源参考：《微电子学词典》（科学出版社）、《半导体器件物理》（施敏，伍国珏著）中关于 PN 结和耗尽层的描述。 IEEE Xplore Digital Library 中关于半导体器件基础理论的文献。
"空虚层晶体管"的含义 - 耗尽型晶体管：
- "空虚层晶体管"特指一类场效应晶体管 (FET)。这类晶体管在零栅极电压 (Vgs = 0) 状态下，其导电沟道（源极和漏极之间的电流路径）已经存在。这是因为在制造过程中，沟道区域被预先掺杂或设计成在零偏压下就形成了导电通道。
- 当施加负栅极电压（对于 N 沟道器件）或正栅极电压（对于 P 沟道器件）时，栅极电压的作用是增大沟道区域的耗尽层宽度（即扩大"空虚层"的范围），从而挤压或夹断原有的导电沟道，导致源漏电流 (Ids) 减小。也就是说，栅压的作用是使器件从导通状态变为关断状态。
- 因此，"空虚层晶体管"（耗尽型晶体管）的工作模式是：常开型 (Normally-On)。其电流控制方式是：通过栅压来耗尽（减小）沟道中的载流子浓度以减小电流。
- 来源参考：《集成电路设计》（王志功，朱恩编著）中关于 MOSFET 工作模式的章节。 IEEE Electron Device Letters, Solid-State Electronics 等期刊中关于耗尽型 FET 器件研究的论文。维基百科英文版 "Depletion and enhancement modes" 词条（需注意其作为参考的适用性）。
与增强型晶体管的对比：
- 与耗尽型晶体管相对的是增强型晶体管 (Enhancement-Mode Transistor)。增强型晶体管在零栅压 (Vgs=0) 下，沟道不存在或处于关断状态。需要施加正栅压（N沟道）或负栅压（P沟道）来反型或增强沟道中的载流子浓度，从而形成导电沟道并增大源漏电流。其工作模式是常关型 (Normally-Off)。
- 来源参考：同第 2 点来源。《CMOS 超大规模集成电路设计》（尼尔·韦斯特，大卫·哈里斯著）中 MOSFET 基础部分。

"空虚层晶体管"即耗尽型场效应晶体管 (Depletion-Mode FET)。其名称来源于其核心工作原理：在零栅压下即存在导电沟道，通过施加栅极电压来增大沟道附近的耗尽层（"空虚层"）范围，从而减小沟道导电能力直至关断。它是一种常开型器件。

网络扩展解释

关于“空虚层晶体管”这一术语，目前可查的公开资料中并未找到直接对应的专业定义。不过结合半导体物理基础概念和晶体管工作原理，可以尝试进行以下推测性解释：

可能的核心概念
"空虚层"在半导体领域通常指"耗尽层"(Depletion Layer)，即PN结中载流子被耗尽形成的区域。晶体管工作时，该区域的宽度变化直接影响导电特性。例如在BJT晶体管中，基极-发射极耗尽层的宽度会影响载流子注入效率。
晶体管类型推测
可能指某种特殊结构的场效应晶体管(FET)，如：
- 耗尽型MOSFET：通过预先形成的导电沟道工作
- 异质结晶体管：利用不同半导体材料形成的耗尽层特性
- 量子阱晶体管：通过纳米级结构调控耗尽区
需要澄清的疑问点
- 该术语是否为"耗尽层晶体管"的翻译差异
- 是否涉及新型半导体材料（如二维材料）的特殊耗尽效应
- 是否与特定专利技术相关（如某些功率器件的垂直结构设计）

建议通过以下途径获取准确信息：

查阅IEEE电子器件期刊最新论文
检索专业半导体器件手册中的术语索引
联系微电子领域研究机构进行技术咨询

注：当前搜索结果仅提供基础晶体管定义，未涉及特殊结构类型描述。以上分析基于半导体物理基础理论推导，具体定义需以权威技术文献为准。