空虛層晶體管英文解釋翻譯、空虛層晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 depletion-layer transistor

分詞翻譯：

空虛的英語翻譯：

blankness; vacancy; airiness; emptiness; hollowness; vacuity

層的英語翻譯：

layer; region; stage; story; stratum; tier
【計】 layer
【醫】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

"空虛層晶體管"（kōng xū céng jīng tǐ guǎn）是一個在半導體物理與微電子學領域出現的專業術語，其英文對應術語通常為Depletion-Mode Transistor 或更具體地指Depletion-Mode Field-Effect Transistor (Depletion-Mode FET)。

以下是其詳細解釋：

核心概念 - "空虛層" (Depletion Layer/Region)：
- 在半導體器件（如晶體管）中，"空虛層"（耗盡層）指的是半導體内部靠近 PN 結或金屬-半導體接觸界面附近的一個特殊區域。在這個區域内，可自由移動的載流子（電子或空穴）被"耗盡"或顯著減少，形成了一個幾乎沒有自由電荷載流子的區域。該區域主要由固定不動的電離雜質電荷構成，因此稱為"空虛層"或"耗盡層"。它的形成是由于内建電場或外加電場的作用。
- 來源參考：《微電子學詞典》（科學出版社）、《半導體器件物理》（施敏，伍國珏著）中關于 PN 結和耗盡層的描述。 IEEE Xplore Digital Library 中關于半導體器件基礎理論的文獻。
"空虛層晶體管"的含義 - 耗盡型晶體管：
- "空虛層晶體管"特指一類場效應晶體管 (FET)。這類晶體管在零栅極電壓 (Vgs = 0) 狀态下，其導電溝道（源極和漏極之間的電流路徑）已經存在。這是因為在制造過程中，溝道區域被預先摻雜或設計成在零偏壓下就形成了導電通道。
- 當施加負栅極電壓（對于 N 溝道器件）或正栅極電壓（對于 P 溝道器件）時，栅極電壓的作用是增大溝道區域的耗盡層寬度（即擴大"空虛層"的範圍），從而擠壓或夾斷原有的導電溝道，導緻源漏電流 (Ids) 減小。也就是說，栅壓的作用是使器件從導通狀态變為關斷狀态。
- 因此，"空虛層晶體管"（耗盡型晶體管）的工作模式是：常開型 (Normally-On)。其電流控制方式是：通過栅壓來耗盡（減小）溝道中的載流子濃度以減小電流。
- 來源參考：《集成電路設計》（王志功，朱恩編著）中關于 MOSFET 工作模式的章節。 IEEE Electron Device Letters, Solid-State Electronics 等期刊中關于耗盡型 FET 器件研究的論文。維基百科英文版 "Depletion and enhancement modes" 詞條（需注意其作為參考的適用性）。
與增強型晶體管的對比：
- 與耗盡型晶體管相對的是增強型晶體管 (Enhancement-Mode Transistor)。增強型晶體管在零栅壓 (Vgs=0) 下，溝道不存在或處于關斷狀态。需要施加正栅壓（N溝道）或負栅壓（P溝道）來反型或增強溝道中的載流子濃度，從而形成導電溝道并增大源漏電流。其工作模式是常關型 (Normally-Off)。
- 來源參考：同第 2 點來源。《CMOS 超大規模集成電路設計》（尼爾·韋斯特，大衛·哈裡斯著）中 MOSFET 基礎部分。

"空虛層晶體管"即耗盡型場效應晶體管 (Depletion-Mode FET)。其名稱來源于其核心工作原理：在零栅壓下即存在導電溝道，通過施加栅極電壓來增大溝道附近的耗盡層（"空虛層"）範圍，從而減小溝道導電能力直至關斷。它是一種常開型器件。

網絡擴展解釋

關于“空虛層晶體管”這一術語，目前可查的公開資料中并未找到直接對應的專業定義。不過結合半導體物理基礎概念和晶體管工作原理，可以嘗試進行以下推測性解釋：

可能的核心概念
"空虛層"在半導體領域通常指"耗盡層"(Depletion Layer)，即PN結中載流子被耗盡形成的區域。晶體管工作時，該區域的寬度變化直接影響導電特性。例如在BJT晶體管中，基極-發射極耗盡層的寬度會影響載流子注入效率。
晶體管類型推測
可能指某種特殊結構的場效應晶體管(FET)，如：
- 耗盡型MOSFET：通過預先形成的導電溝道工作
- 異質結晶體管：利用不同半導體材料形成的耗盡層特性
- 量子阱晶體管：通過納米級結構調控耗盡區
需要澄清的疑問點
- 該術語是否為"耗盡層晶體管"的翻譯差異
- 是否涉及新型半導體材料（如二維材料）的特殊耗盡效應
- 是否與特定專利技術相關（如某些功率器件的垂直結構設計）

建議通過以下途徑獲取準确信息：

查閱IEEE電子器件期刊最新論文
檢索專業半導體器件手冊中的術語索引
聯繫微電子領域研究機構進行技術咨詢

注：當前搜索結果僅提供基礎晶體管定義，未涉及特殊結構類型描述。以上分析基于半導體物理基礎理論推導，具體定義需以權威技術文獻為準。