场效晶体管英文解释翻译、场效晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 field-effect transistor

分词翻译：

场的英语翻译：

field; a level open space; scene
【化】 field
【医】 field; plant

效的英语翻译：

effect; imitate; render

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

场效晶体管（Field Effect Transistor, FET），中文又称场效应晶体管，是一种利用电场效应来控制电流流动的半导体器件。其核心在于通过施加在栅极（Gate）上的电压，来调制半导体沟道（Channel）的导电能力，从而控制源极（Source）和漏极（Drain）之间的电流。以下是其详细解释：

一、核心概念与工作原理

电场控制：与双极型晶体管（BJT）利用电流控制不同，FET 的核心是电压控制。在栅极施加电压（(V_{GS})）会产生一个垂直穿过绝缘层（栅介质）指向沟道的电场（Field）。这个电场能吸引或排斥沟道中的载流子（电子或空穴），改变沟道的有效宽度和导电性，进而控制源漏电流（(I_D)）的大小。这种通过电场调制沟道电导的机制是其名称“场效应”的来源。
沟道类型： FET 主要分为两大类：
- N沟道FET：沟道主要依靠电子导电。当栅极施加正电压（相对于源极）时，吸引电子形成导电沟道。
- P沟道FET：沟道主要依靠空穴导电。当栅极施加负电压（相对于源极）时，吸引空穴形成导电沟道。
工作模式：
- 增强型：零栅压下无导电沟道，需施加一定栅压（阈值电压 (V_{th})）才能形成沟道。
- 耗尽型：零栅压下已存在导电沟道，施加栅压可减小（耗尽）或增大沟道导电性。

二、主要类型

MOSFET：最主流、应用最广泛的 FET 类型。其栅极结构由金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）构成，栅介质通常是二氧化硅（SiO₂）或其他高介电常数材料。是现代集成电路（IC）的基础元件。
JFET：结型场效应晶体管。利用 PN 结的反偏电压来控制沟道宽度。栅极与沟道之间是半导体 PN 结，而非绝缘层。通常为耗尽型工作。
HEMT / pHEMT：高电子迁移率晶体管。利用异质结界面形成的二维电子气（2DEG）作为沟道，具有极高的工作频率和电子迁移率，主要用于射频和微波领域。

三、关键特性与优势

高输入阻抗：栅极与沟道之间有绝缘层（MOSFET）或反偏 PN 结（JFET），直流输入阻抗极高（可达 (10^{12} Omega) 以上），意味着几乎不吸取输入电流，驱动功耗极低。
电压控制：只需电压信号即可控制大电流，易于接口和驱动。
开关特性好：作为开关时，导通电阻低，关断漏电流小，开关速度快。
低功耗：静态功耗（待机功耗）极低，特别适合大规模集成和便携设备。
易于集成： MOSFET 结构相对简单，非常适合大规模集成电路（VLSI）制造。

四、主要应用领域

数字集成电路： CPU、内存、逻辑门等数字芯片的核心开关元件。
模拟集成电路：放大器、运算放大器、模拟开关、稳压器等。
功率电子：电源转换（DC-DC, AC-DC）、电机驱动、逆变器等（功率 MOSFET, IGBT）。
射频与微波电路：低噪声放大器、功率放大器、射频开关（HEMT, pHEMT, RF MOSFET）。
传感器接口：利用其高输入阻抗特性，用于生物传感器、化学传感器等微弱信号检测。
显示驱动： LCD、OLED 显示屏的像素驱动（TFT，即薄膜晶体管，本质是 MOSFET）。

来源参考：

IEEE Xplore Digital Library: 提供大量关于 FET 原理、设计、模型和应用的权威学术论文和技术报告。例如，可搜索关于 MOSFET 基础理论或最新进展的文献（需自行查找具体链接）。
《半导体器件物理》（Semiconductor Device Physics）教材: 如 S. M. Sze 或 Robert F. Pierret 的经典著作，详细阐述 FET 的物理机制和特性。
牛津英语词典 / 专业电子工程词典: 提供 "Field Effect Transistor" 的标准英文定义和术语解释（需查阅相关词典资源）。
主要半导体制造商技术文档: 如 Intel, TSMC, Samsung, TI, Infineon 等公司官网提供的器件手册、应用笔记和白皮书，包含 FET（尤其是 MOSFET）的实际参数、特性和应用指南（需访问具体公司官网查找）。

网络扩展解释

场效晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应控制电流的半导体器件，属于电压控制型元件。以下是其核心要点：

1.基本定义与原理

电场控制机制：通过栅极电压产生的电场调节导电沟道的宽度，从而控制源极与漏极之间的电流。与双极型晶体管（BJT）不同，FET仅依赖多数载流子（电子或空穴）导电，因此被称为单极型晶体管。
输入特性：输入阻抗极高（通常达$10text{–}10 Omega$），适合高灵敏度电路。

2.主要类型

结型场效应管（JFET）：通过PN结反向偏压控制沟道导电性，分n沟道和p沟道两种，其中n沟道更常见（因电子迁移率更高）。
金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）：采用绝缘栅极结构，通过栅极与半导体间的氧化物层实现电场控制，分为增强型和耗尽型。
其他类型：如MESFET（金属半导体场效应管），主要用于高频应用。

3.核心特点

低噪声与低功耗：适用于信号放大和精密仪器。
高开关速度：在数字电路中作为高效开关，支持逻辑运算。
热稳定性好：无二次击穿现象，工作区域宽。

4.典型应用

信号放大：如射频电路中的高频信号放大。
开关控制：用于计算机逻辑门和存储器单元。
稳压与调制：在电源稳压器和通信调制电路中发挥关键作用。

5.与双极型晶体管的对比

FET为电压控制，输入阻抗高；BJT为电流控制，输入阻抗低。
FET功耗更低，适合高集成度电路；BJT电流驱动能力更强。

如需进一步了解具体类型或应用场景，可参考、2、4等来源。