
【电】 grid emission
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【医】 polar radiation
栅极放射(Grid Emission)是电子工程领域描述电子器件中栅极结构产生非预期电子释放的现象。该术语源于真空管技术,指当栅极表面受到高电场或热激发时,金属材料内部的电子克服功函数势垒向外逸出的物理过程。这种现象在早期三极管中会导致栅极电流异常,影响放大器的线性度和稳定性。
根据IEEE标准词典定义,栅极放射的量化公式可表示为: $$ I_g = A cdot T cdot e^{- frac{phi}{k T}} $$ 其中$I_g$为栅极电流,$A$为材料常数,$T$为绝对温度,$phi$为金属功函数,$k$为玻尔兹曼常数。该公式揭示了温度与电场强度对电子逸出概率的指数级影响。
在现代半导体器件中,栅极放射特指MOSFET栅氧化层在高电场下发生的福勒-诺德海姆隧穿效应(Fowler-Nordheim tunneling)。这种量子隧穿现象会导致栅极漏电流,成为纳米级集成电路功耗控制的关键挑战。美国国家标准技术研究院(NIST)的器件物理手册指出,当栅氧化层厚度小于3纳米时,栅极放射电流将主导器件的静态功耗。
栅极放射(Grid Emission)是电子技术领域的专业术语,具体解释如下:
栅极放射指电子管中栅极材料在特定条件下(如高电压或高温)发生的非预期电子发射现象。这种现象源于栅极表面电子的逸出,可能干扰电子管的正常工作。
这种现象会导致:
主要出现在真空管时代的三极管、五极管中。现代半导体器件通过改进材料和结构设计,已基本消除此类问题。相关术语"grid glow tube"(栅极辉光放电管)也与此现象有关联。
在电子工程领域,栅极作为控制电极,其核心功能是通过电压调节阴极与阳极之间的电流。栅极放射属于需要抑制的副效应,工程师常通过表面涂层工艺或合金材料来降低发射概率。
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