热载子二极体英文解释翻译、热载子二极体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 hot-carrier diode

分词翻译：

热的英语翻译：

ardent; caloric; craze; eager; fever; heat; hot; warm
【化】 heat
【医】 calor; cauma; febris; fever; fievre; heat; hyperthermia; hyperthermy
phlegmasia; phlegmonosis; pyreto-; pyro-; therm-; thermo-

载子的英语翻译：

【电】 carrier

二的英语翻译：

twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-

极体的英语翻译：

【医】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte

专业解析

热载子二极体（Hot Carrier Diode），在英文中更常被称为肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD），是一种利用金属与半导体接触形成的肖特基势垒（Schottky Barrier）进行工作的特殊半导体二极管。其核心特点在于其工作机理涉及高能量的“热载流子”（Hot Carrier）。

以下从汉英词典角度对其详细解释：

工作原理与名称来源：
- 当金属与轻掺杂的N型半导体接触时，会在接触界面处形成一个电势垒（肖特基势垒），阻碍电子从半导体流向金属。
- 在正向偏压下，半导体导带中的电子获得足够能量（成为“热”电子）越过这个势垒，从半导体注入到金属中，形成正向电流。这种电流是由多数载流子（电子）的热载流子发射（Thermionic Emission）主导的，而非普通PN结二极管中少数载流子的注入和复合扩散。因此得名“热载子二极管”[1][2]。
- 英文名称“Schottky Barrier Diode”则直接指明了其核心结构特征——肖特基势垒。
结构特性：
- 典型结构由金属（如铂、金、钼、钨或某些硅化物）与N型半导体（通常是硅或砷化镓）直接接触构成。
- 没有PN结二极管中存在的P型区，因此不存在少数载流子存储效应[1][2]。
- 金属端为阳极（Anode），半导体端为阴极（Cathode）。
关键性能与应用：
- 低正向导通压降：肖特基势垒高度通常低于PN结的内建电势，因此其正向导通电压（约0.2V - 0.4V，硅基）显著低于普通硅PN结二极管（约0.6V - 0.7V）。这使得它在低压、大电流应用中效率更高，损耗更小[1][2][3]。
- 超快开关速度：由于是多数载流子器件，没有少数载流子的存储和复合时间，其开关速度（反向恢复时间）极快（可达皮秒至纳秒级），远快于普通PN结二极管。这使得它非常适合高频开关应用（如开关电源、射频电路）和高速数字电路（如钳位二极管）[1][2][3]。
- 反向特性：反向击穿电压相对较低（通常低于200V），反向漏电流相对较高（随温度升高显著增大）[1][2]。
- 主要应用领域：高频整流、开关电源（SMPS）的输出整流、极性保护二极管、射频检波与混频、高速逻辑电路的钳位二极管、太阳能电池旁路二极管等[1][2][3]。
同义词/别名：
- 肖特基二极管：这是目前最广泛使用的名称，直接源于其核心物理机制（肖特基势垒）。
- 表面势垒二极管
- 金属-半导体（接触）二极管

引用参考：

[1] S. M. Sze, K. K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. John Wiley & Sons, 2006. (经典半导体物理与器件著作，详细阐述肖特基二极管原理与特性) [2] "Schottky diode." Encyclopedia of Electronic Components. O'Reilly Media. (电子元器件百科全书条目，提供基础解释与应用概述) [3] "Schottky Barrier Diodes (SBD)." Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation. (主要半导体制造商的技术文档，详述特性、参数与应用指南)

网络扩展解释

“热载子二极体”是一个与半导体器件相关的术语，其含义需要结合“热载子”和“二极体”两部分来理解：

二极体（Diode）
二极体是一种基础的电子元件，仅允许电流单向通过，核心结构为PN结（P型和N型半导体结合）。其主要功能包括整流、稳压和信号调制等。
热载子（Hot Carrier）
指半导体中因高电场或高温获得额外动能的载流子（电子或空穴）。这些载流子可能突破势垒或引发非平衡效应，影响器件性能（如漏电流增加或可靠性下降）。
热载子二极体的可能含义
该术语可能指代利用热载流子效应工作的特殊二极管类型。例如：
- 肖特基二极管（Schottky Diode）：通过金属-半导体接触形成势垒，因载流子注入机制不同，具有低正向压降和高速开关特性，可能与热载子效应相关。
- 某些高频/高速二极管：在高压或高频场景下，热载流子效应显著，可能被归类为热载子二极管。

需注意：

中文术语“热载子二极体”可能是对英文术语的直译（如“Hot Carrier Diode”），但实际工程中更常用具体分类名称（如肖特基二极管）。
若需进一步确认，建议参考半导体器件专业文献或标准术语手册。