热离子栅极发射英文解释翻译、热离子栅极发射的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 thermionic grid emission

thermion
【化】 thermion
【医】 thermion

grid
【化】 grid

launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【医】 emission

热离子栅极发射（Thermionic Grid Emission）是电子器件领域的重要物理现象，指在真空电子器件中，受热激发的电子从栅极表面逸出并形成电流的过程。其核心机制基于金属材料受热后内部电子动能增加，克服功函数势垒进入真空环境。该现象与理查森-杜什曼公式直接相关，电流密度可表示为：

J = A T e^{-W/(kT)}

其中$J$为发射电流密度，$T$为绝对温度，$W$为材料功函数，$k$为玻尔兹曼常数，$A$为材料常数。

在工程应用中，该效应常见于早期三极真空管的栅极设计，当栅极温度异常升高时可能产生非受控电子流，导致器件工作失真。现代半导体器件通过材料优化（如钨钍合金）和结构改进，已显著降低此类寄生发射。

根据麻省理工学院《固态电子学导论》的论述，栅极功函数与温度系数的匹配设计是控制热离子发射的关键参数。美国物理学会期刊《Applied Physics Letters》近年研究显示，纳米结构栅极表面可将有效功函数降低0.5-1.2 eV，为新型热管理方案提供理论支持。

“热离子栅极发射”是一个涉及电子器件物理学的术语，结合了热离子效应和栅极结构的作用。以下是对其的详细解释：

热离子发射（Thermionic Emission）：指材料受热后，电子获得足够能量克服表面势垒，逸出材料表面的现象。常见于真空管中的热阴极（如钨丝加热后发射电子）。
栅极（Grid）：电子器件（如真空管、场效应晶体管）中用于控制电子流的电极，通常位于阴极和阳极之间。

根据术语组合，可能指以下两种情景：

情景一：传统器件中的异常现象
在常规真空管中，栅极本不参与电子发射（由阴极负责）。若栅极因过热或材料特性意外产生热离子发射，可能干扰器件工作（如电流失控）。
情景二：新型器件的设计原理
某些先进器件可能故意将栅极设计为热离子发射源，例如：
- 多电极协同发射：栅极与阴极同时加热，增强电子发射密度。
- 高频/高效率器件：通过栅极发射补充电子流，提升响应速度或效率。

热离子发射的电子流密度（( J )）由理查德森-德西曼公式描述： $$ J = A T e^{-frac{W}{k T}} $$ 其中：

若栅极参与发射，需额外考虑其温度、材料功函数及与阴极的电场相互作用。

由于未搜索到具体文献，以上解释基于热离子发射和栅极功能的常规知识推测。如需准确技术细节，建议查阅电子器件物理学或相关专利文献。