
【电】 mobility
【医】 drifting
act; move; stir; use
【医】 kino-
frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【医】 rate
【经】 rater.
"漂移动率"在汉英词典中对应术语为"drift mobility",指电荷载流子(如电子或空穴)在电场作用下发生定向迁移的速率。该概念广泛应用于半导体物理、电子工程及材料科学领域,其核心参数反映材料导电性能。
根据《牛津材料科学词典》定义,漂移动率(μ)的数学表达式为: $$ μ = frac{v_d}{E} $$ 其中$v_d$为载流子漂移速度,$E$为外加电场强度。该公式量化了单位电场作用下载流子的运动效率。
在半导体器件设计中,漂移动率直接影响晶体管开关速度与集成电路性能。硅材料的电子漂移动率约1350 cm²/(V·s),而砷化镓可达8500 cm²/(V·s),这种差异解释了化合物半导体在高频器件中的优势地位。
美国国家标准技术研究院(NIST)的实验数据显示,温度每升高50K,硅的漂移动率下降约30%,说明该参数具有显著的温度依赖性。这种特性被应用于热敏传感器开发。
参考文献:
“漂移动率”可能为“漂移迁移率”或“漂移率”的表述变体,需结合不同领域解释:
在半导体物理中,漂移迁移率指非平衡载流子(如电子或空穴)在电场作用下的迁移能力。其定义为:载流子的平均漂移速度与电场强度绝对值的比值。计算公式为: $$ mu = frac{x}{|E| cdot t} $$ 其中:
该指标用于衡量半导体材料的导电性能。
在股票市场中,漂移率指价格或指标相对于长期趋势的偏离程度,反映波动性:
若用户指物理学概念,建议使用“漂移迁移率”;若涉及金融波动性,则为“漂移率”。需根据具体语境进一步确认。
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