
【電】 mobility
【醫】 drifting
act; move; stir; use
【醫】 kino-
frank; hasty; lead; modulus; quotiety; rash; rate; ratio; usually
【醫】 rate
【經】 rater.
"漂移動率"在漢英詞典中對應術語為"drift mobility",指電荷載流子(如電子或空穴)在電場作用下發生定向遷移的速率。該概念廣泛應用于半導體物理、電子工程及材料科學領域,其核心參數反映材料導電性能。
根據《牛津材料科學詞典》定義,漂移動率(μ)的數學表達式為: $$ μ = frac{v_d}{E} $$ 其中$v_d$為載流子漂移速度,$E$為外加電場強度。該公式量化了單位電場作用下載流子的運動效率。
在半導體器件設計中,漂移動率直接影響晶體管開關速度與集成電路性能。矽材料的電子漂移動率約1350 cm²/(V·s),而砷化镓可達8500 cm²/(V·s),這種差異解釋了化合物半導體在高頻器件中的優勢地位。
美國國家标準技術研究院(NIST)的實驗數據顯示,溫度每升高50K,矽的漂移動率下降約30%,說明該參數具有顯著的溫度依賴性。這種特性被應用于熱敏傳感器開發。
參考文獻:
“漂移動率”可能為“漂移遷移率”或“漂移率”的表述變體,需結合不同領域解釋:
在半導體物理中,漂移遷移率指非平衡載流子(如電子或空穴)在電場作用下的遷移能力。其定義為:載流子的平均漂移速度與電場強度絕對值的比值。計算公式為: $$ mu = frac{x}{|E| cdot t} $$ 其中:
該指标用于衡量半導體材料的導電性能。
在股票市場中,漂移率指價格或指标相對于長期趨勢的偏離程度,反映波動性:
若用戶指物理學概念,建議使用“漂移遷移率”;若涉及金融波動性,則為“漂移率”。需根據具體語境進一步确認。
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