光電導英文解釋翻譯、光電導的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

photoconduction

分詞翻譯：

光電的英語翻譯：

photoelectricity
【醫】 photoelectricity

導的英語翻譯：

guide; lead; teach; transmit
【醫】 guidance; guide

專業解析

光電導（photoconductivity）是固體材料在光照條件下電導率升高的物理現象，屬于光電效應的一種表現形式。該術語由光（photo-）與導電性（conductivity）組合構成，英文對應詞為"photoconductivity"，國際音标标注為/ˌfoʊtoʊkənˈdʌktɪvɪti/。

從半導體物理機制分析，光電導的産生源于光子能量激發材料中的載流子（電子或空穴），使其從價帶躍遷至導帶，從而增加可移動電荷密度。這種特性在光電探測器、光敏電阻等電子元件中具有重要應用價值。

典型光電導材料包括：

本征半導體：如硫化镉(CdS)、硒化鉛(PbSe)
非晶态半導體：氫化非晶矽(a-Si:H)
有機半導體：并五苯等稠環芳烴化合物

行業标準《GB/T 2900.33-2004 電工術語電力電子技術》将光電導效應定義為"物質吸收光子而産生非平衡載流子，導緻電導率變化的現象"。該現象滿足關系式： $$ Delta sigma = e(mu_n Delta n + mu_p Delta p) $$ 其中Δσ為電導率變化量，μ_n和μ_p分别代表電子與空穴遷移率，Δn和Δp為載流子濃度增量。

網絡擴展解釋

光電導是半導體材料在光照下電導率增加的現象，其核心機制是光激發導緻載流子濃度變化。以下是詳細解釋：

1.基本定義

光電導指半導體受光照後電導率升高的效應。例如，暗環境下半導體電導率較低（暗電導），光照後電導率顯著提升（亮電導），兩者的差值即為光電導。這種現象最早由W.史密斯于1873年在硒材料中發現。

2.物理機制

載流子激發：光子的能量被半導體吸收後，電子從價帶躍遷至導帶（本征光電導），或從雜質能級躍遷至導帶/價帶（雜質光電導），形成自由電子或空穴。
電導率公式：電導率與載流子濃度（n、p）及其遷移率（μ）的乘積成正比，即： $$ sigma = e(nmu_n + pmu_p) $$ 光照通過增加n或p值提升σ。

3.分類

本征光電導：光子能量≥材料禁帶寬度（Eg），引發電子-空穴對，常見于可見光波段（如硫化镉）。
雜質光電導：光子能量≥雜質能級與能帶間隙，僅激發單一載流子，多用于紅外探測（如摻雜的矽）。

4.關鍵參數

長波限（λ₀）：光電導響應的最大波長，由公式λ₀=hc/Eg決定（h為普朗克常數，c為光速，Eg為能隙）。例如，Eg=1.1eV的矽對應λ₀≈1.1μm。

5.應用領域

光敏器件：如光敏電阻、光電管，用于光強測量和自動控制。
輻射探測：覆蓋紫外至紅外的探測器，如硫化鉛紅外傳感器。

如需進一步了解光電導的動态響應（如定态光電導）或具體材料案例，可參考中的載流子複合模型分析。