光电导英文解释翻译、光电导的近义词、反义词、例句

英语翻译：

photoconduction

分词翻译：

光电的英语翻译：

photoelectricity
【医】 photoelectricity

导的英语翻译：

guide; lead; teach; transmit
【医】 guidance; guide

专业解析

光电导（photoconductivity）是固体材料在光照条件下电导率升高的物理现象，属于光电效应的一种表现形式。该术语由光（photo-）与导电性（conductivity）组合构成，英文对应词为"photoconductivity"，国际音标标注为/ˌfoʊtoʊkənˈdʌktɪvɪti/。

从半导体物理机制分析，光电导的产生源于光子能量激发材料中的载流子（电子或空穴），使其从价带跃迁至导带，从而增加可移动电荷密度。这种特性在光电探测器、光敏电阻等电子元件中具有重要应用价值。

典型光电导材料包括：

本征半导体：如硫化镉(CdS)、硒化铅(PbSe)
非晶态半导体：氢化非晶硅(a-Si:H)
有机半导体：并五苯等稠环芳烃化合物

行业标准《GB/T 2900.33-2004 电工术语电力电子技术》将光电导效应定义为"物质吸收光子而产生非平衡载流子，导致电导率变化的现象"。该现象满足关系式： $$ Delta sigma = e(mu_n Delta n + mu_p Delta p) $$ 其中Δσ为电导率变化量，μ_n和μ_p分别代表电子与空穴迁移率，Δn和Δp为载流子浓度增量。

网络扩展解释

光电导是半导体材料在光照下电导率增加的现象，其核心机制是光激发导致载流子浓度变化。以下是详细解释：

1.基本定义

光电导指半导体受光照后电导率升高的效应。例如，暗环境下半导体电导率较低（暗电导），光照后电导率显著提升（亮电导），两者的差值即为光电导。这种现象最早由W.史密斯于1873年在硒材料中发现。

2.物理机制

载流子激发：光子的能量被半导体吸收后，电子从价带跃迁至导带（本征光电导），或从杂质能级跃迁至导带/价带（杂质光电导），形成自由电子或空穴。
电导率公式：电导率与载流子浓度（n、p）及其迁移率（μ）的乘积成正比，即： $$ sigma = e(nmu_n + pmu_p) $$ 光照通过增加n或p值提升σ。

3.分类

本征光电导：光子能量≥材料禁带宽度（Eg），引发电子-空穴对，常见于可见光波段（如硫化镉）。
杂质光电导：光子能量≥杂质能级与能带间隙，仅激发单一载流子，多用于红外探测（如掺杂的硅）。

4.关键参数

长波限（λ₀）：光电导响应的最大波长，由公式λ₀=hc/Eg决定（h为普朗克常数，c为光速，Eg为能隙）。例如，Eg=1.1eV的硅对应λ₀≈1.1μm。

5.应用领域

光敏器件：如光敏电阻、光电管，用于光强测量和自动控制。
辐射探测：覆盖紫外至红外的探测器，如硫化铅红外传感器。

如需进一步了解光电导的动态响应（如定态光电导）或具体材料案例，可参考中的载流子复合模型分析。