
【電】 photoelectric conductivity
光電傳導性(Photoconductivity)指材料在光照條件下電導率增加的現象,是光電效應的一種表現形式。其英文術語對應為 "Photoconductivity",由 "photo-"(光)和 "conductivity"(導電性)組合而成。
當光子能量高于材料帶隙(Bandgap)時,會激發價帶電子躍遷至導帶,形成電子-空穴對。這些額外載流子顯著提升材料的電導率,其變化量(Δσ)滿足公式: $$ Deltasigma = e (mu_n Delta n + mu_p Delta p) $$ 其中 $e$ 為電子電荷,$mu_n$、$mu_p$ 分别為電子和空穴遷移率,$Delta n$、$Delta p$ 為載流子濃度增量。
材料僅對特定波長範圍的光敏感,由能帶結構決定。例如硒化镉(CdSe)在可見光區響應,而鍺(Ge)適用于紅外探測。
光照停止後電導率恢複至暗态的時間,影響器件響應速度。非晶矽(a-Si)的弛豫時間約10⁻³秒,而砷化镓(GaAs)可達納秒級。
定義為每吸收一個光子産生的載流子數,高品質材料增益可超過10³(如氧化鋅納米線)。
權威參考文獻:
光電傳導性(或稱光電導性)是指材料在光照條件下電導率顯著增加的現象,屬于光與物質相互作用的重要物理特性。以下是詳細解釋:
光電傳導性描述材料吸收光子後,内部載流子(電子或空穴)濃度增加,從而提升導電能力的過程。這種現象常見于半導體材料。
若需進一步了解光電導率的量化公式或具體應用案例,可參考光電物理學相關文獻或教材。
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