高能電子衍射英文解釋翻譯、高能電子衍射的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 HEED; high-energy electron diffraction (HEED)

分詞翻譯：

高的英語翻譯：

high; high-priced; lofty; loud; tall
【醫】 homo-; hyper-; hypsi-; hypso-; per-

能的英語翻譯：

ability; able; be able to; can; capable; energy; skill
【化】 energy
【醫】 energy

電子衍射的英語翻譯：

【計】 electron diffraction
【化】 electron diffraction

專業解析

高能電子衍射 (High-Energy Electron Diffraction, HEED)

定義與核心原理

高能電子衍射（HEED）是一種利用高能電子束（通常在10 keV至1000 keV能量範圍）照射晶體材料表面，通過分析衍射電子波的強度和分布來研究材料表面原子結構的技術。其物理基礎是電子的波動性：當高能電子入射到晶體表面時，會與原子周期排列産生的晶格發生相互作用，遵循布拉格定律（Bragg's Law），在特定角度形成衍射斑點或環。該技術對表面原子排列、缺陷及相變高度敏感。

技術特點與優勢

高分辨率與穿透性：高能電子束波長極短（如100 keV電子波長約0.037 Å），可解析亞原子尺度結構，同時具備一定穿透深度（納米至微米級），適用于薄膜和體材料分析。
動态實時分析：可在高溫、低溫或氣體環境中實時觀測表面重構、吸附或化學反應過程，為原位研究提供關鍵手段。

典型應用場景

表面科學：表征金屬、半導體表面的原子排列、台階結構及吸附層有序性（如石墨烯外延生長監測）。
材料相變研究：追蹤合金時效析出、氧化反應等過程中的晶體結構演變。
納米材料表征：分析納米顆粒、量子點的晶體取向與缺陷分布。

與相關技術的區别

相較于低能電子衍射（LEED，能量<500 eV），HEED因電子能量更高，受表面污染影響更小，且可探測次表層信息；與X射線衍射（XRD）相比，HEED對輕元素更敏感且所需樣品量更少。

參考來源

網絡擴展解釋

高能電子衍射（Reflection High-Energy Electron Diffraction, RHEED）是一種通過高能電子束與晶體表面相互作用，分析材料表面結構和動态生長過程的表征技術。以下是其核心要點：

一、基本原理

電子束特性
使用能量為10-50 keV（對應波長約0.01-0.05 nm）的電子束，以極小的掠射角（1°-3°）入射到樣品表面。由于電子穿透深度僅1-2個原子層，主要反映表面結構信息。
布拉格衍射與表面敏感
滿足布拉格方程（$$2dsinθ = nλ$$）時，電子波與表面原子周期性排列發生幹涉，形成衍射斑點。因入射方向幾乎平行于表面，垂直動量分量小，僅與表層原子作用。

二、技術特點

表面分析優勢
- 可實時監測薄膜生長過程，如分子束外延（MBE）中的表面重構、晶相變化。
- 對表面平整度敏感，通過衍射斑點強度振蕩判斷單層生長狀态。
高分辨率與適用性
- 加速電壓高（10-1000 keV），波長更短，適合分析納米級表面微結構。
- 相比低能電子衍射（LEED），穿透性更弱，更適合厚樣品表面研究。

三、裝置結構

主要由電子槍和熒光屏組成：

電子槍：發射單能電子束，經電磁透鏡聚焦後掠射至樣品。
檢測系統：熒光屏或CCD相機記錄衍射圖樣，透射式（TEM内）或反射式（獨立裝置）。

四、應用領域

材料科學：表征薄膜生長機制、表面缺陷及晶格匹配。
半導體工藝：MBE生長中實時監控外延層質量。
表面物理：研究吸附、氧化等表面反應動态過程。

參考資料

基礎原理與裝置：、2、3、5、9
應用實例：

如需更深入的技術參數或實驗案例，可查閱相關文獻或儀器手冊。