
【計】 discrete IC
schism
integrated circuit
【計】 integrated circuit
【化】 integrated circuit
【經】 integrated circuit
分立集成電路(Discrete Integrated Circuit)指由獨立電子元件(如晶體管、電阻、電容)通過外部連接構成的電路系統,與單片集成電路(所有元件集成在單一芯片)形成對比。以下是漢英詞典角度的專業解析:
漢語釋義
“分立”強調元件物理分離(如獨立封裝),需通過PCB布線或導線連接;“集成電路”指完成特定功能的電子元件組合體。
英文對照:Discrete(獨立元件) + Integrated Circuit(功能電路組合)。
技術特征
對比維度 | 分立集成電路 | 單片集成電路 |
---|---|---|
集成度 | 低(元件獨立) | 高(納米級微縮) |
功耗與體積 | 較大,適合高功率場景 | 微型化,能效比高 |
設計自由度 | 可靈活定制拓撲結構 | 受晶圓工藝限制 |
成本 | 小批量生産經濟性強 | 量産成本低,單價優勢顯著 |
電動汽車逆變器、工業電機驅動器中,分立IGBT模塊(如Infineon的HybridPACK™)因耐高壓、散熱佳被廣泛采用 。
5G基站功率放大器(PA)常采用GaN(氮化镓)分立器件,支持高頻低損耗信號傳輸。
高精度傳感器調理電路、音頻功放等需低噪聲設計的場景。
《IEEE Std 315》規定分立器件符號标準,明确其與IC的圖形标識區别(如晶體管獨立符號 vs. IC方框符號)。
EIA(電子工業聯盟)指出分立器件全球市場2023年超$300億,汽車電子占比達32%(來源:EIA年度報告)。
麻省理工學院《微電子學導論》定義分立電路為:“非半導體工藝一體成型的元件集合體,依賴外部互連實現功能”。
公式補充:分立電路功率密度計算
$$Pd = frac{V{ds} times Id}{A{chip}}$$
其中 $V{ds}$ 為漏源電壓,$Id$ 為漏極電流,$A{chip}$ 為芯片面積。分立設計通過增大 $A{chip}$ 優化散熱,避免熱點效應 。
根據搜索結果分析,"分立集成電路"這一表述可能存在概念混淆。實際上,"分立器件"和"集成電路"是半導體領域的兩個獨立分類,以下是詳細解釋:
指單一功能、獨立封裝的電子元件,例如:
指通過半導體工藝将多個元件集成在單一芯片上的微型化電路模塊,例如:
維度 | 分立器件 | 集成電路 |
---|---|---|
功能實現 | 單一功能(如整流/開關) | 多功能系統(如信號處理) |
制造工藝 | 單一材料結構 | 多材料集成工藝 |
系統複雜度 | 需外部組合搭建電路 | 芯片内已完成功能集成 |
"分立集成電路"并非标準術語,可能是對兩類器件的組合誤用。實際應用中,分立器件常作為集成電路的外圍補充元件使用。如需了解更專業的分類體系,可參考半導體器件分類标準IEC 60747系列。
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