
【计】 discrete IC
schism
integrated circuit
【计】 integrated circuit
【化】 integrated circuit
【经】 integrated circuit
分立集成电路(Discrete Integrated Circuit)指由独立电子元件(如晶体管、电阻、电容)通过外部连接构成的电路系统,与单片集成电路(所有元件集成在单一芯片)形成对比。以下是汉英词典角度的专业解析:
汉语释义
“分立”强调元件物理分离(如独立封装),需通过PCB布线或导线连接;“集成电路”指完成特定功能的电子元件组合体。
英文对照:Discrete(独立元件) + Integrated Circuit(功能电路组合)。
技术特征
对比维度 | 分立集成电路 | 单片集成电路 |
---|---|---|
集成度 | 低(元件独立) | 高(纳米级微缩) |
功耗与体积 | 较大,适合高功率场景 | 微型化,能效比高 |
设计自由度 | 可灵活定制拓扑结构 | 受晶圆工艺限制 |
成本 | 小批量生产经济性强 | 量产成本低,单价优势显著 |
电动汽车逆变器、工业电机驱动器中,分立IGBT模块(如Infineon的HybridPACK™)因耐高压、散热佳被广泛采用 。
5G基站功率放大器(PA)常采用GaN(氮化镓)分立器件,支持高频低损耗信号传输。
高精度传感器调理电路、音频功放等需低噪声设计的场景。
《IEEE Std 315》规定分立器件符号标准,明确其与IC的图形标识区别(如晶体管独立符号 vs. IC方框符号)。
EIA(电子工业联盟)指出分立器件全球市场2023年超$300亿,汽车电子占比达32%(来源:EIA年度报告)。
麻省理工学院《微电子学导论》定义分立电路为:“非半导体工艺一体成型的元件集合体,依赖外部互连实现功能”。
公式补充:分立电路功率密度计算
$$Pd = frac{V{ds} times Id}{A{chip}}$$
其中 $V{ds}$ 为漏源电压,$Id$ 为漏极电流,$A{chip}$ 为芯片面积。分立设计通过增大 $A{chip}$ 优化散热,避免热点效应 。
根据搜索结果分析,"分立集成电路"这一表述可能存在概念混淆。实际上,"分立器件"和"集成电路"是半导体领域的两个独立分类,以下是详细解释:
指单一功能、独立封装的电子元件,例如:
指通过半导体工艺将多个元件集成在单一芯片上的微型化电路模块,例如:
维度 | 分立器件 | 集成电路 |
---|---|---|
功能实现 | 单一功能(如整流/开关) | 多功能系统(如信号处理) |
制造工艺 | 单一材料结构 | 多材料集成工艺 |
系统复杂度 | 需外部组合搭建电路 | 芯片内已完成功能集成 |
"分立集成电路"并非标准术语,可能是对两类器件的组合误用。实际应用中,分立器件常作为集成电路的外围补充元件使用。如需了解更专业的分类体系,可参考半导体器件分类标准IEC 60747系列。
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