薄膜晶體管英文解釋翻譯、薄膜晶體管的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯:
【電】 thin-film transistor
相關詞條:
1.TFT
分詞翻譯:
薄的英語翻譯:
flimsy; slight; tenuity; thin
【醫】 lepto-; tenuity; thinness
膜的英語翻譯:
film; membrane; theca; velamen; velum
【化】 membrane
【醫】 coat; envelope; film; lemma; membranae membranae; membranae membrane
panniculus; theca; thecae; tunic; tunica; velamen; velamenta
velamentum
晶體管的英語翻譯:
transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor
專業解析
薄膜晶體管(Thin-Film Transistor, TFT)是一種特殊類型的場效應晶體管(Field-Effect Transistor, FET),其核心特征在于半導體活性層、介電層和電極均以薄膜形式沉積在非單晶襯底(如玻璃、塑料等)上。以下是其詳細解釋:
1.術語定義與結構
- 薄膜特性:與傳統體矽晶體管不同,TFT的有源層(如非晶矽、多晶矽或金屬氧化物)厚度通常在納米至微米量級,通過真空沉積技術(如PECVD、濺射)形成。
- 三端結構:包含栅極(Gate)、源極(Source)和漏極(Drain)。栅極通過施加電壓控制源漏極間溝道的導電性,其結構可分為頂栅型或底栅型。
2.工作原理
- 電壓控制機制:栅極電壓((V_G))在半導體層上方形成電場,誘導溝道區形成導電通道(電子或空穴)。漏極電流((I_D))受(VG)和漏源電壓((V{DS}))共同調控,遵循場效應晶體管的基本方程:
$$
ID = mu C{ox} frac{W}{L} left( (VG - V{TH})V{DS} - frac{V{DS}}{2} right) quad (text{線性區})
$$
其中(mu)為載流子遷移率,(C{ox})為栅介質電容,(W/L)為溝道寬長比,(V{TH})為阈值電壓。
- 開關功能:通過(V_G)切換溝道導通/關斷狀态,實現像素開關控制。
3.核心應用領域
- 平闆顯示技術:作為液晶顯示器(LCD)和有機發光二極管(OLED)顯示屏的背闆驅動單元,每個像素對應一個TFT,控制液晶取向或電流注入。
- 柔性電子:基于低溫工藝的TFT可集成于柔性襯底(如聚酰亞胺),用于可折疊屏幕、電子皮膚等新興領域。
4.材料體系與性能
材料類型 |
遷移率範圍 |
特點 |
典型應用 |
非晶矽(a-Si) |
0.1–1 cm²/V·s |
工藝成熟、成本低 |
主流LCD面闆 |
低溫多晶矽(LTPS) |
50–300 cm²/V·s |
高遷移率、高分辨率 |
OLED、高端LCD |
金屬氧化物(IGZO) |
10–50 cm²/V·s |
低漏電流、高均勻性 |
高刷新率顯示屏 |
5.技術演進方向
- 高遷移率材料:氧化物半導體(如InGaZnO)和納米晶矽提升開關速度與能效。
- 集成化創新:将TFT與傳感器、存儲器集成于同一襯底,推動“System on Panel”發展。
注:由于未搜索到可引用的權威來源鍊接,本文内容基于電子工程領域公認知識框架撰寫。建議讀者參考IEEE Xplore、ScienceDirect等學術數據庫或專業教材(如《Thin-Film Transistors》by Cherie R. Kagan)獲取更詳盡的文獻支持。
網絡擴展解釋
薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)是一種用于控制電子設備顯示的半導體器件,尤其在液晶顯示屏(LCD)中起核心作用。以下從結構、原理、材料和應用等方面詳細解釋:
1.基本結構與工作原理
- TFT由源極、漏極、栅極和薄膜半導體層構成。其工作原理類似于場效應晶體管(MOSFET),通過栅極電壓控制源極與漏極之間的電流通斷。當施加電壓時,半導體層形成導電通道,從而驅動液晶像素的亮度變化。
2.材料與制造工藝
- 半導體層:常用氫化非晶矽(a-Si:H),因其能階較低(約1.12eV),適合在玻璃基闆上沉積成膜。
- 透明電極:采用铟錫氧化物(ITO),保證屏幕透光性。
- 基闆:多為玻璃,通過薄膜沉積技術逐層加工半導體、介電層和金屬電極。
3.核心優勢
- 高精度控制:每個液晶像素對應一個TFT,實現高分辨率、快速響應和高對比度顯示。
- 低功耗:薄膜結構減少了器件體積和能耗,適合移動設備。
4.主要應用領域
- 顯示技術:驅動LCD屏幕(如手機、平闆、電視)。
- 柔性電子:采用聚合物材料的TFT可彎曲,應用于可穿戴設備和軍事領域。
5.與其他晶體管的區别
- TFT與傳統晶體管的差異在于薄膜工藝和透明性,使其更適合大面積、高集成度的顯示面闆制造。
總結來看,薄膜晶體管通過微米級薄膜技術和特殊材料,成為現代高清顯示的核心驅動元件,并在柔性電子領域持續拓展應用場景。如需更深入的技術細節,可參考來源、5、7等。
分類
ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ
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