英語翻譯：

【計】 film integrated circuit

相關詞條：

1.thinfilmintegratedcircuit  

分詞翻譯：

薄膜的英語翻譯：

film; membrane; pellicle
【計】 thin membrane; thin-film
【醫】 film

集成電路的英語翻譯：

integrated circuit
【計】 integrated circuit
【化】 integrated circuit
【經】 integrated circuit

專業解析

薄膜集成電路（Thin-Film Integrated Circuit）是一種通過真空沉積、濺射或化學氣相沉積等工藝，在絕緣基闆（如陶瓷或玻璃）表面逐層沉積納米至微米級厚度的導電、絕緣或半導體材料，形成微型化電子元件的電路系統。其核心特征包括：

1. 結構特性

   薄膜元件厚度通常為0.1-1微米，通過光刻技術實現微米級圖形精度。主要材料包括氮化鋁（AlN）、氧化鋁（Al₂O₃）等介質層，以及金、銅等導體材料。相較于厚膜技術，薄膜電路具備更優的高頻性能和熱穩定性（來源：《微電子制造工藝手冊》，Springer出版）。

2. 功能實現

   通過多層薄膜堆疊實現電阻、電容、電感等無源元件集成，常與半導體芯片構成混合集成電路。典型應用包括高頻微波器件（如5G通信濾波器）、高精度傳感器和航天電子系統（來源：IEEE電子器件期刊）。

3. 技術優勢

• 工作頻率可達100GHz以上（來源：Keysight Technologies白皮書）
• 溫度系數低于±25ppm/°C
• 元件精度誤差≤0.1%

4. 應用領域

   醫療設備（如心髒起搏器）、衛星通信載荷、汽車雷達模塊及精密儀器儀表，尤適用于極端溫度、輻射環境下的穩定運作需求（來源：NASA技術報告庫）。

網絡擴展解釋

薄膜集成電路（Thin Film Integrated Circuit, TFIC）是一種通過特殊工藝将導電薄膜材料與其他基礎元件集成在基闆上的半導體器件。以下從多個維度詳細解釋其含義及特點：

1.定義與基本結構

薄膜集成電路利用厚度通常小于1微米的金屬、半導體或絕緣材料薄膜，通過真空蒸發、濺射、化學氣相沉積等工藝，在玻璃、陶瓷等非導電基闆上形成電阻、電容、電感等無源元件及互連引線。部分設計中還會集成有源器件（如晶體管）或通過混合工藝組裝分立元件。

2.核心制造工藝

• 薄膜沉積技術：包括物理氣相沉積（如濺射、蒸發）和化學氣相沉積，用于精确控制材料厚度和成分。
• 光刻與蝕刻：通過光刻技術定義電路圖形，再結合蝕刻形成精細結構。
• 熱處理：提升薄膜的穩定性和電學性能。

3.分類與適用場景

• 集中參數型：適用于低頻至微波波段，如高精度模拟電路。
• 分布參數型：專為微波電路設計。
• 混合型：結合薄膜無源元件與分立有源器件（如芯片），適合高頻、高功率場景。

4.主要優勢

• 高精度：電阻、電容值可控範圍寬且精度高。
• 微型化：體積小、重量輕，適合緊湊型電子設備。
• 可靠性：薄膜層密封性好，抗環境幹擾能力強。

5.典型應用領域

• 微波通信：如雷達、衛星通信設備。
• 精密儀器：醫療設備、傳感器中的模拟信號處理電路。
• 航空航天：對穩定性和輕量化要求高的場景。

總結來看，薄膜集成電路通過獨特的材料和工藝實現了電路的高密度集成與性能優化，尤其在高頻、高精度領域具有不可替代性。其技術發展推動了現代電子設備的小型化和功能提升。

分類

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