英语翻译：

【计】 film integrated circuit

相关词条：

1.thinfilmintegratedcircuit  

分词翻译：

薄膜的英语翻译：

film; membrane; pellicle
【计】 thin membrane; thin-film
【医】 film

集成电路的英语翻译：

integrated circuit
【计】 integrated circuit
【化】 integrated circuit
【经】 integrated circuit

专业解析

薄膜集成电路（Thin-Film Integrated Circuit）是一种通过真空沉积、溅射或化学气相沉积等工艺，在绝缘基板（如陶瓷或玻璃）表面逐层沉积纳米至微米级厚度的导电、绝缘或半导体材料，形成微型化电子元件的电路系统。其核心特征包括：

1. 结构特性

   薄膜元件厚度通常为0.1-1微米，通过光刻技术实现微米级图形精度。主要材料包括氮化铝（AlN）、氧化铝（Al₂O₃）等介质层，以及金、铜等导体材料。相较于厚膜技术，薄膜电路具备更优的高频性能和热稳定性（来源：《微电子制造工艺手册》，Springer出版）。

2. 功能实现

   通过多层薄膜堆叠实现电阻、电容、电感等无源元件集成，常与半导体芯片构成混合集成电路。典型应用包括高频微波器件（如5G通信滤波器）、高精度传感器和航天电子系统（来源：IEEE电子器件期刊）。

3. 技术优势

• 工作频率可达100GHz以上（来源：Keysight Technologies白皮书）
• 温度系数低于±25ppm/°C
• 元件精度误差≤0.1%

4. 应用领域

   医疗设备（如心脏起搏器）、卫星通信载荷、汽车雷达模块及精密仪器仪表，尤适用于极端温度、辐射环境下的稳定运作需求（来源：NASA技术报告库）。

网络扩展解释

薄膜集成电路（Thin Film Integrated Circuit, TFIC）是一种通过特殊工艺将导电薄膜材料与其他基础元件集成在基板上的半导体器件。以下从多个维度详细解释其含义及特点：

1.定义与基本结构

薄膜集成电路利用厚度通常小于1微米的金属、半导体或绝缘材料薄膜，通过真空蒸发、溅射、化学气相沉积等工艺，在玻璃、陶瓷等非导电基板上形成电阻、电容、电感等无源元件及互连引线。部分设计中还会集成有源器件（如晶体管）或通过混合工艺组装分立元件。

2.核心制造工艺

• 薄膜沉积技术：包括物理气相沉积（如溅射、蒸发）和化学气相沉积，用于精确控制材料厚度和成分。
• 光刻与蚀刻：通过光刻技术定义电路图形，再结合蚀刻形成精细结构。
• 热处理：提升薄膜的稳定性和电学性能。

3.分类与适用场景

• 集中参数型：适用于低频至微波波段，如高精度模拟电路。
• 分布参数型：专为微波电路设计。
• 混合型：结合薄膜无源元件与分立有源器件（如芯片），适合高频、高功率场景。

4.主要优势

• 高精度：电阻、电容值可控范围宽且精度高。
• 微型化：体积小、重量轻，适合紧凑型电子设备。
• 可靠性：薄膜层密封性好，抗环境干扰能力强。

5.典型应用领域

• 微波通信：如雷达、卫星通信设备。
• 精密仪器：医疗设备、传感器中的模拟信号处理电路。
• 航空航天：对稳定性和轻量化要求高的场景。

总结来看，薄膜集成电路通过独特的材料和工艺实现了电路的高密度集成与性能优化，尤其在高频、高精度领域具有不可替代性。其技术发展推动了现代电子设备的小型化和功能提升。

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