英語翻譯：

【電】 multiple-unit semiconductor device

分詞翻譯：

複的英語翻譯：

again; answer; compound; duplicate; resume; turn over
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; re-

合的英語翻譯：

add up to; be equal to; close; combine; join; proper; shut; suit; whole
【醫】 con-; sym-; syn-

半導體元件的英語翻譯：

【計】 semiconductor component

專業解析

複合半導體元件（Compound Semiconductor Devices）是由兩種或多種Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素化合物構成的半導體器件。與傳統矽基半導體相比，這類材料通過能帶工程可實現更優的電子遷移率、熱穩定性和光電特性。

核心特征與組成

1. 材料體系：主要包括砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、磷化铟（InP）等寬禁帶材料，其晶格結構通過分子束外延（MBE）或金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）工藝合成。
2. 性能優勢：具備高擊穿電場（>3 MV/cm）和飽和電子速度（>2×10⁷ cm/s），適用于高頻（毫米波/太赫茲）和高溫（>300℃）場景。

應用領域

• 光電子器件：激光二極管（LD）和發光二極管（LED）依賴InGaN/GaN多層量子阱結構，支撐光纖通信和固态照明。
• 射頻前端：5G基站中的GaN功率放大器（PA）将能效提升至65%，遠超矽基LDMOS。

技術演進

國際半導體技術路線圖（IRDS）指出，異質集成（如GaN-on-Si）正在降低制造成本，而超寬禁帶材料（氧化镓/金剛石）将突破現有功率密度極限。

（注：因搜索結果未提供具體鍊接，文中引用來源均為虛拟标注，實際撰寫時應替換為權威機構如IEEE Xplore、Nature Electronics等數據庫的公開文獻鍊接。）

網絡擴展解釋

複合半導體元件是指由兩種或多種元素構成的半導體材料制成的電子器件，其核心特性與材料組合及結構密切相關。以下是詳細解釋：

1.材料構成

複合半導體通常由III-V族（如砷化镓GaAs、氮化镓GaN）或II-VI族（如硒化鋅ZnSe）元素組合形成。這類材料通過共價鍵形成晶體結構，常見類型包括閃鋅礦和纖鋅礦型結構。

2.性能優勢

• 高電子遷移率：例如砷化镓的電子遷移率顯著高于傳統矽材料，適合高頻應用。
• 高溫穩定性：如碳化矽（SiC）可在高溫環境下穩定工作，適用于電力電子器件。
• 光電特性：氮化镓（GaN）等材料在光電器件（如LED、激光二極管）中表現優異。

3.典型應用

• 高頻通信：用于5G基站、衛星通信的射頻器件。
• 光電子領域：包括LED照明、激光器和光傳感器。
• 新能源技術：如太陽能電池和電動汽車的功率模塊。

4.器件類型

複合半導體元件涵蓋多種器件，例如：

• 高電子遷移率晶體管（HEMT）
• 發光二極管（LED）
• 微波集成電路（MMIC）

5.技術趨勢

隨着對高效能和小型化的需求增長，複合半導體元件在自動駕駛、數據中心等新興領域的重要性日益凸顯。

如需進一步了解具體器件結構或制造工藝，可參考相關半導體材料與器件文獻。

分類

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