英語翻譯：

【化】 extrinsic semiconductor

分詞翻譯：

非的英語翻譯：

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【計】 negate; NOT; not that
【醫】 non-

本征半導體的英語翻譯：

【計】 instrinsic semicoductor; proper semiconductor
【化】 intrinsic semiconductor

專業解析

非本征半導體（Extrinsic Semiconductor）的漢英詞典式解析

一、術語定義

非本征半導體（Extrinsic Semiconductor）指通過人為摻雜（Doping）特定雜質元素，改變其本征電學性質的半導體材料。區别于純淨的本征半導體（Intrinsic Semiconductor），非本征半導體的導電性由雜質原子主導，其載流子（電子或空穴）濃度顯著高于本征态。

二、核心原理

1. 摻雜機制：

   在矽（Si）、鍺（Ge）等IV族半導體中，摻入微量III族（如硼）或V族（如磷）元素：

   • N型半導體：摻入V族雜質（磷、砷），提供額外自由電子。
   • P型半導體：摻入III族雜質（硼、铟），形成空穴主導導電。

     摻雜濃度直接影響載流子密度，進而調控電阻率與導電能力。

2. 能帶結構變化：

   雜質原子在禁帶中引入施主能級（N型）或受主能級（P型），顯著降低載流子激發所需能量。

三、關鍵特性對比

特性	本征半導體	非本征半導體
載流子來源	本征激發（電子-空穴對）	雜質電離（電子或空穴）
導電類型	電子與空穴平衡	N型（電子為主）或P型（空穴為主）
電阻率	較高（依賴溫度）	可通過摻雜精确控制

四、應用意義

非本征半導體是電子器件的物理基礎：

• PN結：P型與N型結合形成二極管，實現單向導電。
• 晶體管：摻雜區域構成三極管放大電路。
• 集成電路：精确摻雜技術支撐現代芯片制造。

權威參考文獻

1. 《半導體物理與器件》（Neamen, D. A.）

   鍊接：McGraw-Hill Education（需訪問出版社官網檢索）

2. IEEE電子器件學會

   術語定義參考：IEEE Xplore（學術數據庫）

3. 英國國家物理實驗室（NPL）

   摻雜技術标準：NPL Semiconductors

---

注：以上鍊接為相關權威機構主域名，具體文獻需通過其平台檢索關鍵詞 "Extrinsic Semiconductor" 或 "Doping in Semiconductors"。

網絡擴展解釋

非本征半導體是指通過人為摻雜特定雜質元素，從而改變其導電特性的半導體材料。以下是詳細解釋：

1. 定義與核心機制
   非本征半導體通過引入雜質（如磷、硼等）打破純淨半導體的載流子平衡，使電子或空穴濃度顯著偏離本征狀态。例如，矽中摻入磷（五價元素）會形成N型半導體，電子成為多數載流子；摻入硼（三價元素）則形成P型半導體，空穴占主導。

2. 導電性提升原理
   摻雜後，雜質原子在半導體能帶中引入施主能級（N型）或受主能級（P型），顯著降低載流子躍遷所需能量。這使得非本征半導體在常溫下即可通過熱激發産生大量自由載流子，導電能力比本征半導體高數個數量級。

3. 關鍵應用領域
   非本征半導體是制造二極管、晶體管、集成電路等電子器件的核心材料。通過控制摻雜濃度和類型，可實現PN結、場效應管等關鍵結構，支撐現代電子設備的邏輯運算與信號放大功能。

擴展說明：

• 若同時摻雜施主和受主雜質（如磷與硼共存），則形成雜質補償型半導體，其導電類型由濃度更高的雜質決定。
• 非本征半導體的載流子遷移率受晶格缺陷和雜質散射影響，需通過退火工藝優化。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏覽...

布雷克氏盤差異兩分法充氧的初始點低聚－Ｎ－甲－Ｎ－氧丙嗎啉多進程調度爾虞我詐封建宗法主義分節孢子形成呷藁本酸工休日過期債權含氣管化學交換彙編語言編碼焦急的經濟核算景色己糖胺聯貫的模型化技術内髒性癫痫配子體憑單編號生鏽險試驗性的塔頂蒸汽天然石蠟體節間的