非本征半导体英文解释翻译、非本征半导体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 extrinsic semiconductor

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【计】 negate; NOT; not that
【医】 non-

【计】 instrinsic semicoductor; proper semiconductor
【化】 intrinsic semiconductor

非本征半导体（Extrinsic Semiconductor）指通过人为掺杂（Doping）特定杂质元素，改变其本征电学性质的半导体材料。区别于纯净的本征半导体（Intrinsic Semiconductor），非本征半导体的导电性由杂质原子主导，其载流子（电子或空穴）浓度显著高于本征态。

掺杂机制：
在硅（Si）、锗（Ge）等IV族半导体中，掺入微量III族（如硼）或V族（如磷）元素：
- N型半导体：掺入V族杂质（磷、砷），提供额外自由电子。
- P型半导体：掺入III族杂质（硼、铟），形成空穴主导导电。
  掺杂浓度直接影响载流子密度，进而调控电阻率与导电能力。
能带结构变化：
杂质原子在禁带中引入施主能级（N型）或受主能级（P型），显著降低载流子激发所需能量。

非本征半导体是电子器件的物理基础：

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非本征半导体是指通过人为掺杂特定杂质元素，从而改变其导电特性的半导体材料。以下是详细解释：

定义与核心机制
非本征半导体通过引入杂质（如磷、硼等）打破纯净半导体的载流子平衡，使电子或空穴浓度显著偏离本征状态。例如，硅中掺入磷（五价元素）会形成N型半导体，电子成为多数载流子；掺入硼（三价元素）则形成P型半导体，空穴占主导。
导电性提升原理
掺杂后，杂质原子在半导体能带中引入施主能级（N型）或受主能级（P型），显著降低载流子跃迁所需能量。这使得非本征半导体在常温下即可通过热激发产生大量自由载流子，导电能力比本征半导体高数个数量级。
关键应用领域
非本征半导体是制造二极管、晶体管、集成电路等电子器件的核心材料。通过控制掺杂浓度和类型，可实现PN结、场效应管等关键结构，支撑现代电子设备的逻辑运算与信号放大功能。

扩展说明：