薄層電阻英文解釋翻譯、薄層電阻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 sheet resistance

lamella; lamina

resistance
【計】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【醫】 resistance

薄層電阻（Sheet Resistance）是半導體材料和薄膜導電特性評估的核心參數之一，其定義為材料單位面積表面上的電阻值，英文術語對應"sheet resistance"或"surface resistivity"（來源：《電子工程基礎手冊》第3版）。該參數通過範德堡四探針法測量，計算公式為：

R_s = frac{pi}{ln2} cdot frac{V}{I}

式中$R_s$代表薄層電阻，$V$為電壓，$I$為電流（來源：美國國家标準與技術研究院NIST技術報告）。

在集成電路制造中，薄層電阻的單位Ω/□（歐姆每方塊）用于表征摻雜半導體或金屬薄膜的導電均勻性，該單位源自正方形幾何結構下電阻值與尺寸無關的特性（來源：IEEE電子器件協會技術文檔）。例如，矽晶圓離子注入層的薄層電阻控制精度直接影響晶體管導通特性。

國際半導體技術路線圖（ITRS）指出，先進制程芯片要求薄層電阻值波動範圍小于±5%，這對化學機械抛光和退火工藝提出嚴苛要求（來源：《半導體制造技術導論》）。測量設備推薦使用四點探針儀或非接觸渦流法，前者精度可達0.1%，後者適用于超薄氧化铟錫(ITO)薄膜檢測（來源：日本電子材料學會年度報告）。

薄層電阻（Sheet Resistance）是衡量均勻厚度薄膜材料導電特性的重要參數，常用于半導體、電子元件等領域。以下為詳細解釋：

定義與公式
薄層電阻表示為材料單位面積内的電阻特性，計算公式為： $$ R_s = frac{rho}{t} $$ 其中，(rho)為材料的體電阻率，(t)為薄膜厚度，單位為歐姆每平方（Ω/□）。
與普通電阻的區别
普通電阻（R）與材料的幾何形狀（長度、橫截面積）相關，而薄層電阻獨立于材料表面積，僅反映材料本身的導電能力。例如，無論方塊邊長如何變化，隻要長寬比例一緻，其薄層電阻值不變。
測量方法
常用四探針法（四點探針測量）直接測量，或通過渦流測試等非接觸方式間接測量。這些方法可避免接觸電阻對結果的影響，提高精度。
應用場景
- 半導體摻雜區域（如矽基芯片）的性能評估；
- 厚膜混合微電路中絲網印刷電阻的質量控制；
- 金屬鍍層、玻璃塗層的導電性檢測。

薄層電阻的測量對集成電路制造、太陽能電池等領域的工藝優化具有重要意義。如需進一步了解測量設備或具體案例，可參考相關技術文獻。