電荷儲存晶體管英文解釋翻譯、電荷儲存晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 charge-stroage transistor

分詞翻譯：

電荷的英語翻譯：

charge; electric charge; electricity
【化】 electric charge
【醫】 charge

儲存的英語翻譯：

garner; lay in; store
【電】 storage

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

電荷儲存晶體管（Charge Storage Transistor），英文全稱為Charge Storage Transistor，是一種利用特定結構存儲電荷以調制溝道電流的半導體器件。其核心功能在于通過控制栅極下方絕緣層中捕獲的電荷量，實現溝道導電性的非易失性或半永久性改變，是構建非易失性存儲器（如閃存）的關鍵單元。

核心原理與結構

電荷存儲機制：
- 區别于普通MOSFET通過栅壓直接調控溝道，電荷儲存晶體管在栅極與溝道之間增設了電荷存儲層（如浮栅或電荷陷阱層）。
- 通過施加高電壓（編程/擦除操作），電荷（通常是電子）被注入并存儲在電荷存儲層中（例如通過熱電子注入或Fowler-Nordheim隧穿效應）。
- 存儲的電荷會屏蔽或增強栅極電場對溝道的控制，從而改變器件的阈值電壓（Vth），實現信息（“0”或“1”）的存儲。
主要類型：
- 浮栅晶體管 (Floating Gate Transistor)：電荷存儲在由絕緣層（如SiO₂）完全包圍的導電多晶矽浮栅中。浮栅與外界無直接電連接，電荷洩漏極小，數據保持時間長（可達10年以上）。這是早期EEPROM和NOR/NAND閃存的基礎結構。
- 電荷俘獲型晶體管 (Charge-Trapping Transistor)：電荷存儲在絕緣介質中的深能級陷阱内（如氮化矽層）。代表性結構有SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) 和TANOS (TaN-Al₂O₃-Nitride-Oxide-Silicon)。其優勢在于更薄的等效氧化層厚度、更低的編程電壓和更好的抗穿通能力。

工作模式

編程 (Program)：向栅極施加高正電壓（對N溝道器件），将電子注入電荷存儲層，使器件Vth升高。存儲狀态通常代表“0”。
擦除 (Erase)：向源極、漏極或襯底施加高電壓（或栅極加負壓），将電子從電荷存儲層移除，使器件Vth降低。存儲狀态通常代表“1”。
讀取 (Read)：施加介于編程态和擦除态Vth之間的栅壓，通過檢測源漏電流的大小來判斷存儲狀态（“0”或“1”）。

應用領域

電荷儲存晶體管是現代非易失性存儲技術的基石：

閃存存儲器 (Flash Memory)：包括NOR Flash（用于代碼存儲）和NAND Flash（用于大容量數據存儲，如SSD、U盤、存儲卡）。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)：用于存儲需要頻繁修改的小量數據（如系統配置參數）。
嵌入式存儲器：集成在微控制器、SoC等芯片中，用于存儲固件或配置信息。

權威參考來源

IEEE Xplore Digital Library：收錄了大量關于電荷儲存晶體管物理機制、器件建模、可靠性和先進工藝的學術論文與技術報告。例如，對浮栅和電荷俘獲存儲器件的比較研究常發表于IEEE Transactions on Electron Devices等期刊。
施敏 (S. M. Sze) 著作《半導體器件物理》：經典教材中對MOSFET基本原理及非易失性存儲器（包括浮栅器件）有系統闡述。
國際半導體技術路線圖 (ITRS/IRDS)：曆年報告詳細描述了非易失性存儲器（尤其是基于電荷儲存晶體管的閃存）的技術發展趨勢、挑戰和解決方案。
應用材料 (Applied Materials)、泛林集團 (Lam Research) 等設備商技術白皮書：常提供關于電荷儲存晶體管制造工藝（如栅堆疊沉積、刻蝕）的深入技術解析。
美光 (Micron)、三星 (Samsung)、铠俠 (Kioxia) 等存儲器制造商的技術文檔：其産品介紹和應用筆記提供了電荷儲存晶體管在實際存儲器産品（如3D NAND）中的實現方式和性能指标。

網絡擴展解釋

電荷儲存晶體管（Charge-Storage Transistor）是一種具有電荷存儲功能的半導體器件，其核心特點在于能夠通過特定結構暫時保存電荷。以下是詳細解釋：

1. 術語構成解析

電荷（Charge）：指帶電粒子（如電子或空穴）的積累，是電學基本概念。
儲存（Storage）：指通過電容效應或半導體結構實現電荷的暫時保留。
晶體管（Transistor）：基于半導體材料的三端器件，通過輸入電壓控制輸出電流，具備放大、開關等功能。

2. 功能特性

與普通晶體管相比，電荷儲存晶體管在以下方面具有特殊性：

電荷保持能力：通過設計特殊結構（如浮栅、電容耦合等），可在特定區域存儲電荷。
動态控制：存儲的電荷量可通過外部電壓調節，影響器件導電特性。
應用場景：常見于非易失性存儲器、圖像傳感器（如CCD）等需要暫存電荷的領域。

3. 技術背景

普通晶體管主要依賴載流子遷移實現信號處理，而電荷儲存型器件結合了存儲單元與放大功能，這種設計在提到的半導體物理基礎上，通過材料或結構創新實現電荷滞留。

注：該術語屬于專業電子工程詞彙，實際應用中需結合具體電路設計文檔。如需更詳細技術參數，建議查閱集成電路設計手冊或存儲器件相關文獻。