电荷储存晶体管英文解释翻译、电荷储存晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 charge-stroage transistor

分词翻译：

电荷的英语翻译：

charge; electric charge; electricity
【化】 electric charge
【医】 charge

储存的英语翻译：

garner; lay in; store
【电】 storage

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

电荷储存晶体管（Charge Storage Transistor），英文全称为Charge Storage Transistor，是一种利用特定结构存储电荷以调制沟道电流的半导体器件。其核心功能在于通过控制栅极下方绝缘层中捕获的电荷量，实现沟道导电性的非易失性或半永久性改变，是构建非易失性存储器（如闪存）的关键单元。

核心原理与结构

电荷存储机制：
- 区别于普通MOSFET通过栅压直接调控沟道，电荷储存晶体管在栅极与沟道之间增设了电荷存储层（如浮栅或电荷陷阱层）。
- 通过施加高电压（编程/擦除操作），电荷（通常是电子）被注入并存储在电荷存储层中（例如通过热电子注入或Fowler-Nordheim隧穿效应）。
- 存储的电荷会屏蔽或增强栅极电场对沟道的控制，从而改变器件的阈值电压（Vth），实现信息（“0”或“1”）的存储。
主要类型：
- 浮栅晶体管 (Floating Gate Transistor)：电荷存储在由绝缘层（如SiO₂）完全包围的导电多晶硅浮栅中。浮栅与外界无直接电连接，电荷泄漏极小，数据保持时间长（可达10年以上）。这是早期EEPROM和NOR/NAND闪存的基础结构。
- 电荷俘获型晶体管 (Charge-Trapping Transistor)：电荷存储在绝缘介质中的深能级陷阱内（如氮化硅层）。代表性结构有SONOS (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) 和TANOS (TaN-Al₂O₃-Nitride-Oxide-Silicon)。其优势在于更薄的等效氧化层厚度、更低的编程电压和更好的抗穿通能力。

工作模式

编程 (Program)：向栅极施加高正电压（对N沟道器件），将电子注入电荷存储层，使器件Vth升高。存储状态通常代表“0”。
擦除 (Erase)：向源极、漏极或衬底施加高电压（或栅极加负压），将电子从电荷存储层移除，使器件Vth降低。存储状态通常代表“1”。
读取 (Read)：施加介于编程态和擦除态Vth之间的栅压，通过检测源漏电流的大小来判断存储状态（“0”或“1”）。

应用领域

电荷储存晶体管是现代非易失性存储技术的基石：

闪存存储器 (Flash Memory)：包括NOR Flash（用于代码存储）和NAND Flash（用于大容量数据存储，如SSD、U盘、存储卡）。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)：用于存储需要频繁修改的小量数据（如系统配置参数）。
嵌入式存储器：集成在微控制器、SoC等芯片中，用于存储固件或配置信息。

权威参考来源

IEEE Xplore Digital Library：收录了大量关于电荷储存晶体管物理机制、器件建模、可靠性和先进工艺的学术论文与技术报告。例如，对浮栅和电荷俘获存储器件的比较研究常发表于IEEE Transactions on Electron Devices等期刊。
施敏 (S. M. Sze) 著作《半导体器件物理》：经典教材中对MOSFET基本原理及非易失性存储器（包括浮栅器件）有系统阐述。
国际半导体技术路线图 (ITRS/IRDS)：历年报告详细描述了非易失性存储器（尤其是基于电荷储存晶体管的闪存）的技术发展趋势、挑战和解决方案。
应用材料 (Applied Materials)、泛林集团 (Lam Research) 等设备商技术白皮书：常提供关于电荷储存晶体管制造工艺（如栅堆叠沉积、刻蚀）的深入技术解析。
美光 (Micron)、三星 (Samsung)、铠侠 (Kioxia) 等存储器制造商的技术文档：其产品介绍和应用笔记提供了电荷储存晶体管在实际存储器产品（如3D NAND）中的实现方式和性能指标。

网络扩展解释

电荷储存晶体管（Charge-Storage Transistor）是一种具有电荷存储功能的半导体器件，其核心特点在于能够通过特定结构暂时保存电荷。以下是详细解释：

1. 术语构成解析

电荷（Charge）：指带电粒子（如电子或空穴）的积累，是电学基本概念。
储存（Storage）：指通过电容效应或半导体结构实现电荷的暂时保留。
晶体管（Transistor）：基于半导体材料的三端器件，通过输入电压控制输出电流，具备放大、开关等功能。

2. 功能特性

与普通晶体管相比，电荷储存晶体管在以下方面具有特殊性：

电荷保持能力：通过设计特殊结构（如浮栅、电容耦合等），可在特定区域存储电荷。
动态控制：存储的电荷量可通过外部电压调节，影响器件导电特性。
应用场景：常见于非易失性存储器、图像传感器（如CCD）等需要暂存电荷的领域。

3. 技术背景

普通晶体管主要依赖载流子迁移实现信号处理，而电荷储存型器件结合了存储单元与放大功能，这种设计在提到的半导体物理基础上，通过材料或结构创新实现电荷滞留。

注：该术语属于专业电子工程词汇，实际应用中需结合具体电路设计文档。如需更详细技术参数，建议查阅集成电路设计手册或存储器件相关文献。