點觸式晶體管英文解釋翻譯、點觸式晶體管的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯：
【電】 point-contact transistor
分詞翻譯：
點的英語翻譯：
a little; dot; drop; feature; particle; point; spot
【計】 distributing point; dot; PT
【醫】 point; puncta; punctum; spot
【經】 point; pt
觸的英語翻譯：
contact; hit; touch
【化】 touch
【醫】 palpate; taction; tactus; touch
式的英語翻譯：
ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【醫】 F.; feature; formula; Ty.; type
晶體管的英語翻譯：
transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor
專業解析
點觸式晶體管（Point-Contact Transistor）是半導體器件發展初期的代表性結構，其核心特征是通過金屬針與半導體材料表面的點接觸實現電流調控。該器件由美國貝爾實驗室的約翰·巴丁、沃爾特·布拉頓和威廉·肖克利于1947年發明，标志着固态電子學的開端。
結構組成：
- 基闆材料：通常選用鍺晶體作為半導體基闆
- 接觸電極：兩根鎢或金制細針以微小間距（約0.05mm）壓接在基闆表面
- 偏置配置：發射極施加正向偏壓，集電極施加反向偏壓
工作原理：
基于半導體表面形成的耗盡層效應，通過調節針尖接觸壓力改變載流子傳輸特性。當基極電流變化時，點接觸區域的空穴-電子複合過程會顯著影響集電極電流，實現電流放大功能。
技術特性：
- 典型放大倍數：20-100倍
- 頻率響應：早期型號可達10MHz
- 封裝形式：金屬殼密封結構
應用局限：
由于制造工藝依賴手工調節接觸壓力，器件參數一緻性較差（離散度超過±50%），且易受機械振動影響，20世紀60年代後被平面工藝晶體管取代。
網絡擴展解釋
點觸式晶體管（又稱點接觸型晶體管）是最早的晶體管類型，由貝爾實驗室團隊于1947年發明，标志着半導體技術的重大突破。以下是其核心要點：
定義與結構
- 基本構成：由鍺等半導體材料制成，核心結構包含發射極、基極和集電極三個區域。基極極薄（約幾微米），通過金屬點與發射極形成點接觸結構。
- 工作原理：利用PN結的内建電場控制電流。當發射極與基極間施加正向電壓時，電子注入基區并被集電極收集，實現電流放大。
主要特性
- 低工作電壓：僅需0.5V即可工作，功耗低。
- 高頻率響應：結構簡單，寄生電容小，適合高頻信號處理。
- 體積小：替代傳統電子管，推動電子設備小型化。
- 無需預熱：可直接啟動，效率高于真空管。
曆史意義
- 發明背景：1947年由肖克利、巴丁和布拉頓在貝爾實驗室研制成功，被認為是微電子革命的起點。
- 後續影響：為集成電路、計算機内存等現代技術奠定基礎，促使電子設備從龐大體積向便攜化發展。
應用與局限性
- 早期應用：用于放大器、開關電路及高精度傳感器（如輻射計數器）。
- 局限性：穩定性較差，易受環境幹擾，後被更可靠的雙極型晶體管和場效應管取代。
如需進一步了解技術細節，可參考貝爾實驗室的原始文獻或半導體器件發展史資料。
分類
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