点触式晶体管英文解释翻译、点触式晶体管的近义词、反义词、例句
英语翻译：
【电】 point-contact transistor
分词翻译：
点的英语翻译：
a little; dot; drop; feature; particle; point; spot
【计】 distributing point; dot; PT
【医】 point; puncta; punctum; spot
【经】 point; pt
触的英语翻译：
contact; hit; touch
【化】 touch
【医】 palpate; taction; tactus; touch
式的英语翻译：
ceremony; formula; model; pattern; ritual; style; type
【化】 expression
【医】 F.; feature; formula; Ty.; type
晶体管的英语翻译：
transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor
专业解析
点触式晶体管（Point-Contact Transistor）是半导体器件发展初期的代表性结构，其核心特征是通过金属针与半导体材料表面的点接触实现电流调控。该器件由美国贝尔实验室的约翰·巴丁、沃尔特·布拉顿和威廉·肖克利于1947年发明，标志着固态电子学的开端。
结构组成：
- 基板材料：通常选用锗晶体作为半导体基板
- 接触电极：两根钨或金制细针以微小间距（约0.05mm）压接在基板表面
- 偏置配置：发射极施加正向偏压，集电极施加反向偏压
工作原理：
基于半导体表面形成的耗尽层效应，通过调节针尖接触压力改变载流子传输特性。当基极电流变化时，点接触区域的空穴-电子复合过程会显著影响集电极电流，实现电流放大功能。
技术特性：
- 典型放大倍数：20-100倍
- 频率响应：早期型号可达10MHz
- 封装形式：金属壳密封结构
应用局限：
由于制造工艺依赖手工调节接触压力，器件参数一致性较差（离散度超过±50%），且易受机械振动影响，20世纪60年代后被平面工艺晶体管取代。
网络扩展解释
点触式晶体管（又称点接触型晶体管）是最早的晶体管类型，由贝尔实验室团队于1947年发明，标志着半导体技术的重大突破。以下是其核心要点：
定义与结构
- 基本构成：由锗等半导体材料制成，核心结构包含发射极、基极和集电极三个区域。基极极薄（约几微米），通过金属点与发射极形成点接触结构。
- 工作原理：利用PN结的内建电场控制电流。当发射极与基极间施加正向电压时，电子注入基区并被集电极收集，实现电流放大。
主要特性
- 低工作电压：仅需0.5V即可工作，功耗低。
- 高频率响应：结构简单，寄生电容小，适合高频信号处理。
- 体积小：替代传统电子管，推动电子设备小型化。
- 无需预热：可直接启动，效率高于真空管。
历史意义
- 发明背景：1947年由肖克利、巴丁和布拉顿在贝尔实验室研制成功，被认为是微电子革命的起点。
- 后续影响：为集成电路、计算机内存等现代技术奠定基础，促使电子设备从庞大体积向便携化发展。
应用与局限性
- 早期应用：用于放大器、开关电路及高精度传感器（如辐射计数器）。
- 局限性：稳定性较差，易受环境干扰，后被更可靠的双极型晶体管和场效应管取代。
如需进一步了解技术细节，可参考贝尔实验室的原始文献或半导体器件发展史资料。
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