電位障英文解釋翻譯、電位障的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 potential barrier

【醫】 potential

barrier; block; hinder
【醫】 barrier

電位障（Potential Barrier）是半導體物理學和電子工程領域的核心概念，指載流子（如電子或空穴）在材料界面處因電勢差形成的阻礙能量區域。其本質是能帶結構的不連續現象，當電子從高能态區域向低能态區域運動時，需要克服勢壘高度對應的能量阈值。

從物理機制分析，電位障的形成與以下因素相關：

異質結界面：例如PN結中P型與N型半導體的接觸面，因載流子濃度差異産生内建電場（Built-in Electric Field），形成勢壘高度$Phi_B = frac{kT}{q} lnleft(frac{N_A N_D}{n_i}right)$，其中$N_A$和$N_D$分别為受主與施主濃度，$n_i$為本征載流子濃度。
金屬-半導體接觸：肖特基勢壘（Schottky Barrier）的産生源于金屬功函數與半導體電子親合能的差異，直接影響整流特性。

在工程應用中，電位障的調控至關重要：

量子力學研究表明，電子可通過隧穿效應（Tunneling Effect）穿越薄勢壘，該現象在隧道二極管和掃描隧道顯微鏡等器件中具有實際應用。權威研究可參考Ashcroft與Mermin合著的《固體物理學》對能帶理論的系統論述，以及Sze編著的《半導體器件物理》對勢壘工程的技術解析。

電位障（Potential Barrier）是電學領域的一個專業術語，其核心含義如下：

基本定義
電位障指帶電粒子（如電子、離子）在運動路徑中遇到的由電勢差形成的能量障礙，英語譯為"potential barrier"。例如半導體中的PN結、金屬與半導體接觸界面均存在電位障。
物理特性
電位障的高度（即電勢差大小）決定了粒子能否跨越該障礙：當粒子動能大于勢壘高度時，可穿越；反之則被阻擋。量子力學中還存在"隧穿效應"，即粒子有一定概率穿透勢壘（即使動能不足）。
典型應用場景
- 半導體器件：二極管中電位障形成單向導電性
- 電化學反應：電極表面電位障影響離子遷移速率
- 量子技術：掃描隧道顯微鏡利用電子隧穿電位障的原理工作

該術語常見于凝聚态物理、電子工程等領域，其具體數值可通過公式計算：
$$ Delta V = frac{e}{4pi epsilon r} $$
其中$Delta V$為勢壘高度，$epsilon$為介電常數，$r$為粒子間距。