电位障英文解释翻译、电位障的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 potential barrier

【医】 potential

barrier; block; hinder
【医】 barrier

电位障（Potential Barrier）是半导体物理学和电子工程领域的核心概念，指载流子（如电子或空穴）在材料界面处因电势差形成的阻碍能量区域。其本质是能带结构的不连续现象，当电子从高能态区域向低能态区域运动时，需要克服势垒高度对应的能量阈值。

从物理机制分析，电位障的形成与以下因素相关：

异质结界面：例如PN结中P型与N型半导体的接触面，因载流子浓度差异产生内建电场（Built-in Electric Field），形成势垒高度$Phi_B = frac{kT}{q} lnleft(frac{N_A N_D}{n_i}right)$，其中$N_A$和$N_D$分别为受主与施主浓度，$n_i$为本征载流子浓度。
金属-半导体接触：肖特基势垒（Schottky Barrier）的产生源于金属功函数与半导体电子亲合能的差异，直接影响整流特性。

在工程应用中，电位障的调控至关重要：

量子力学研究表明，电子可通过隧穿效应（Tunneling Effect）穿越薄势垒，该现象在隧道二极管和扫描隧道显微镜等器件中具有实际应用。权威研究可参考Ashcroft与Mermin合著的《固体物理学》对能带理论的系统论述，以及Sze编著的《半导体器件物理》对势垒工程的技术解析。

电位障（Potential Barrier）是电学领域的一个专业术语，其核心含义如下：

基本定义
电位障指带电粒子（如电子、离子）在运动路径中遇到的由电势差形成的能量障碍，英语译为"potential barrier"。例如半导体中的PN结、金属与半导体接触界面均存在电位障。
物理特性
电位障的高度（即电势差大小）决定了粒子能否跨越该障碍：当粒子动能大于势垒高度时，可穿越；反之则被阻挡。量子力学中还存在"隧穿效应"，即粒子有一定概率穿透势垒（即使动能不足）。
典型应用场景
- 半导体器件：二极管中电位障形成单向导电性
- 电化学反应：电极表面电位障影响离子迁移速率
- 量子技术：扫描隧道显微镜利用电子隧穿电位障的原理工作

该术语常见于凝聚态物理、电子工程等领域，其具体数值可通过公式计算：
$$ Delta V = frac{e}{4pi epsilon r} $$
其中$Delta V$为势垒高度，$epsilon$为介电常数，$r$为粒子间距。