【化】 point defect
點缺陷（Point Defect）是晶體材料中原子尺度上的局部結構偏離現象，指晶體内部單個原子位置或鄰近區域出現的微觀缺陷。根據形成機制和結構特征，主要分為以下三類：
空位缺陷（Vacancy Defect）
晶體結點上的原子缺失形成的空位，是熱力學平衡狀态下必然存在的缺陷類型。例如金屬銅在高溫下會因原子熱振動産生空位。這類缺陷會影響材料的導電性和擴散行為。
間隙原子（Interstitial Atom）
外來原子嵌入晶體結構的間隙位置，常見于合金材料中。例如碳原子嵌入鐵晶格間隙形成的奧氏體鋼，顯著提升了材料硬度。
置換原子（Substitutional Defect）
外來原子取代晶格中的基體原子，如半導體材料中磷原子替換矽原子形成N型半導體。這種缺陷對電子器件的電學性能具有決定性作用。
點缺陷會改變材料的物理化學性質，例如：
其中$E_v$為空位形成能，$k$為玻爾茲曼常數，$T$為溫度
在工程領域，點缺陷研究對開發新型功能材料、提高半導體器件性能具有重要意義。美國材料學會（MRS）2024年報告指出，精準控制點缺陷已成為納米電子器件微型化的關鍵技術路徑。
點缺陷是晶體材料中的一種微觀結構缺陷，指在晶格中某一局部位置（原子尺度範圍内）出現的結構不完整性，屬于零維缺陷。其核心特征如下：
點缺陷表現為晶格中單個原子位置的異常，例如原子缺失（空位）、間隙原子（擠入晶格間隙的原子）或外來雜質原子取代晶格原子。這類缺陷在三維空間上的尺寸均與原子尺度相當，因此被稱為“點”缺陷。
點缺陷主要由熱力學漲落引起，高溫下原子熱振動加劇，導緻部分原子脫離平衡位置，因此也被稱為熱缺陷。
點缺陷會改變晶體的物理性質（如導電性、擴散速率），在半導體材料、金屬加工等領域有重要應用。例如，摻雜半導體中的雜質原子即屬于有意引入的點缺陷。
注：以上内容綜合了晶體學領域的定義，未包含“缺陷”的廣義解釋（如-10）。如需擴展其他領域（如法律中的“産品缺陷”），可進一步說明。
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