【化】 point defect
点缺陷（Point Defect）是晶体材料中原子尺度上的局部结构偏离现象，指晶体内部单个原子位置或邻近区域出现的微观缺陷。根据形成机制和结构特征，主要分为以下三类：
空位缺陷（Vacancy Defect）
晶体结点上的原子缺失形成的空位，是热力学平衡状态下必然存在的缺陷类型。例如金属铜在高温下会因原子热振动产生空位。这类缺陷会影响材料的导电性和扩散行为。
间隙原子（Interstitial Atom）
外来原子嵌入晶体结构的间隙位置，常见于合金材料中。例如碳原子嵌入铁晶格间隙形成的奥氏体钢，显著提升了材料硬度。
置换原子（Substitutional Defect）
外来原子取代晶格中的基体原子，如半导体材料中磷原子替换硅原子形成N型半导体。这种缺陷对电子器件的电学性能具有决定性作用。
点缺陷会改变材料的物理化学性质，例如：
其中$E_v$为空位形成能，$k$为玻尔兹曼常数，$T$为温度
在工程领域，点缺陷研究对开发新型功能材料、提高半导体器件性能具有重要意义。美国材料学会（MRS）2024年报告指出，精准控制点缺陷已成为纳米电子器件微型化的关键技术路径。
点缺陷是晶体材料中的一种微观结构缺陷，指在晶格中某一局部位置（原子尺度范围内）出现的结构不完整性，属于零维缺陷。其核心特征如下：
点缺陷表现为晶格中单个原子位置的异常，例如原子缺失（空位）、间隙原子（挤入晶格间隙的原子）或外来杂质原子取代晶格原子。这类缺陷在三维空间上的尺寸均与原子尺度相当，因此被称为“点”缺陷。
点缺陷主要由热力学涨落引起，高温下原子热振动加剧，导致部分原子脱离平衡位置，因此也被称为热缺陷。
点缺陷会改变晶体的物理性质（如导电性、扩散速率），在半导体材料、金属加工等领域有重要应用。例如，掺杂半导体中的杂质原子即属于有意引入的点缺陷。
注：以上内容综合了晶体学领域的定义，未包含“缺陷”的广义解释（如-10）。如需扩展其他领域（如法律中的“产品缺陷”），可进一步说明。
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