半導體二極管英文解釋翻譯、半導體二極管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 semiconductor diode

分詞翻譯：

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

二極管的英語翻譯：

diode
【化】 diode

專業解析

半導體二極管（Semiconductor Diode）是一種基于PN結單向導電特性工作的基礎電子元件。其核心結構由P型半導體和N型半導體通過摻雜工藝結合而成，在兩種材料界面處形成耗盡層。根據《電子學基礎》（作者：Paul Horowitz，哈佛大學出版），二極管在正向偏置時導通（約0.3-0.7V壓降），反向偏置時呈現高電阻狀态，這種非線性特性使其廣泛應用于整流、信號調制和電路保護領域。

主要技術參數包括：

最大反向電壓（Peak Inverse Voltage）：PN結不被擊穿的臨界電壓值，參考IEC 60747标準
正向電流容量（Forward Current Rating）：由半導體材料和散熱設計決定
反向恢複時間（Trr）：快恢複二極管可達納秒級，普通整流管為微秒級

常見類型涵蓋：

矽整流二極管（1N4007系列）
肖特基二極管（如BAT54）
齊納二極管（用于穩壓）
發光二極管（LED）

應用實例包括電源整流電路（參考《電力電子技術》第5版）、射頻檢波器（IEEE微波理論期刊）以及現代集成電路中的ESD保護模塊（根據TSMC技術白皮書）。

網絡擴展解釋

半導體二極管是一種基礎電子元件，其核心特性是單向導電性。以下從結構、原理、類型和應用四方面詳細解釋：

結構與材料由P型（空穴多）和N型（自由電子多）半導體通過摻雜工藝形成PN結，常用矽(Si)或鍺(Ge)材料。PN結交界處形成耗盡層，阻止載流子自由擴散。
工作原理
- 正向偏置（P接正極，N接負極）：外加電壓超過阈值（矽管約0.7V，鍺管約0.3V）時導通，電流隨電壓增大快速上升。
- 反向偏置：僅有微小漏電流（納安級），但當反向電壓超過擊穿電壓時會發生雪崩擊穿或齊納擊穿。
主要類型 | 類型| 特性| 典型應用場景| |---------------|-----------------------------|---------------------| | 整流二極管| 大電流耐受能力 | 交流轉直流電源| | 穩壓二極管| 反向擊穿電壓穩定 | 電壓基準/保護電路 | | 發光二極管| 電緻發光效應 | 指示燈/顯示屏 | | 肖特基二極管| 低正向壓降（0.15-0.45V） | 高頻開關電路|
關鍵參數
- 最大整流電流（$I_F$）：允許通過的最大平均電流
- 反向擊穿電壓（$V_{BR}$）：發生擊穿的最低反向電壓
- 結電容：影響高頻特性，公式為 $C_J = frac{varepsilon A}{d}$
典型應用
- 電源整流（将交流轉為脈動直流）
- 信號解調（收音機檢波電路）
- 電壓鉗位（保護敏感元件）
- 邏輯門電路（數字系統基礎單元）

現代二極管已發展出PIN二極管（用于射頻開關）、隧道二極管（負阻特性）等特殊類型，在通信、光伏等領域發揮重要作用。選擇時需結合正向壓降、開關速度、溫度特性等參數綜合考量。