半导体二极管英文解释翻译、半导体二极管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 semiconductor diode

分词翻译：

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

二极管的英语翻译：

diode
【化】 diode

专业解析

半导体二极管（Semiconductor Diode）是一种基于PN结单向导电特性工作的基础电子元件。其核心结构由P型半导体和N型半导体通过掺杂工艺结合而成，在两种材料界面处形成耗尽层。根据《电子学基础》（作者：Paul Horowitz，哈佛大学出版），二极管在正向偏置时导通（约0.3-0.7V压降），反向偏置时呈现高电阻状态，这种非线性特性使其广泛应用于整流、信号调制和电路保护领域。

主要技术参数包括：

最大反向电压（Peak Inverse Voltage）：PN结不被击穿的临界电压值，参考IEC 60747标准
正向电流容量（Forward Current Rating）：由半导体材料和散热设计决定
反向恢复时间（Trr）：快恢复二极管可达纳秒级，普通整流管为微秒级

常见类型涵盖：

硅整流二极管（1N4007系列）
肖特基二极管（如BAT54）
齐纳二极管（用于稳压）
发光二极管（LED）

应用实例包括电源整流电路（参考《电力电子技术》第5版）、射频检波器（IEEE微波理论期刊）以及现代集成电路中的ESD保护模块（根据TSMC技术白皮书）。

网络扩展解释

半导体二极管是一种基础电子元件，其核心特性是单向导电性。以下从结构、原理、类型和应用四方面详细解释：

结构与材料由P型（空穴多）和N型（自由电子多）半导体通过掺杂工艺形成PN结，常用硅(Si)或锗(Ge)材料。PN结交界处形成耗尽层，阻止载流子自由扩散。
工作原理
- 正向偏置（P接正极，N接负极）：外加电压超过阈值（硅管约0.7V，锗管约0.3V）时导通，电流随电压增大快速上升。
- 反向偏置：仅有微小漏电流（纳安级），但当反向电压超过击穿电压时会发生雪崩击穿或齐纳击穿。
主要类型 | 类型| 特性| 典型应用场景| |---------------|-----------------------------|---------------------| | 整流二极管| 大电流耐受能力 | 交流转直流电源| | 稳压二极管| 反向击穿电压稳定 | 电压基准/保护电路 | | 发光二极管| 电致发光效应 | 指示灯/显示屏 | | 肖特基二极管| 低正向压降（0.15-0.45V） | 高频开关电路|
关键参数
- 最大整流电流（$I_F$）：允许通过的最大平均电流
- 反向击穿电压（$V_{BR}$）：发生击穿的最低反向电压
- 结电容：影响高频特性，公式为 $C_J = frac{varepsilon A}{d}$
典型应用
- 电源整流（将交流转为脉动直流）
- 信号解调（收音机检波电路）
- 电压钳位（保护敏感元件）
- 逻辑门电路（数字系统基础单元）

现代二极管已发展出PIN二极管（用于射频开关）、隧道二极管（负阻特性）等特殊类型，在通信、光伏等领域发挥重要作用。选择时需结合正向压降、开关速度、温度特性等参数综合考量。