疊栅結構英文解釋翻譯、疊栅結構的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 stacked gate structure; stacked structure

分詞翻譯：

疊的英語翻譯：

fold; furl; pile up; repeat
【電】 overlay

栅的英語翻譯：

bar

結構的英語翻譯：

frame; structure; composition; configuration; construction; fabric; mechanism
【計】 frame work
【醫】 constitution; formatio; formation; installation; structure; tcxture

專業解析

疊栅結構 (Dié shān jiégòu | Stacked Gate Structure)

在半導體器件（尤其是現代MOSFET和3D NAND閃存）中，"疊栅結構"指一種通過垂直堆疊多個栅極層或導電層形成的複雜器件構型。其核心目的是在有限平面空間内提升器件密度與性能，突破傳統單層器件的物理限制。

一、結構特征

1. 多層堆疊：

   通過沉積、光刻和蝕刻工藝，在襯底上依次構建多個獨立的栅極層（如多晶矽、金屬栅）及絕緣層（如二氧化矽、高k介質）。例如，3D NAND閃存中可堆疊數十至數百層存儲單元。

2. 垂直集成：

   各層功能單元（如晶體管的栅極、浮栅、控制栅）沿垂直方向排列，形成三維陣列，顯著縮小單元尺寸。

二、核心功能

• 密度提升：

  通過垂直堆疊規避平面工藝的微縮極限，單位面積内可容納更多晶體管（如3D NAND的存儲密度可達傳統2D結構的百倍以上）。

• 性能優化：

  多層栅極可獨立調控載流子輸運路徑，降低串擾，提升開關速度與能效比。例如，FinFET中的疊栅設計可增強栅控能力，抑制短溝道效應。

三、技術優勢

• 微縮延續：

  支撐摩爾定律的持續發展，解決7nm以下制程的漏電與熱耗散問題。

• 功能集成：

  支持異質集成（如邏輯與存儲單元堆疊），為存算一體等新興架構提供硬件基礎。

四、典型應用

1. 3D NAND閃存：

   存儲單元（浮栅/電荷陷阱層）與控制栅垂直堆疊，實現TB級存儲容量。

2. GAA晶體管：

   納米片/納米線栅極環繞溝道多層堆疊，替代FinFET成為3nm以下節點主流技術。

權威參考

• IEEE電子器件學會：

  對疊栅晶體管在亞5nm節點的可靠性挑戰分析（來源：IEEE EDS）。

• 應用物理評論：

  綜述3D NAND疊栅工藝中的材料與界面工程（來源：Applied Physics Reviews）。

• 半導體國際技術路線圖（IRDS）：

  定義疊栅結構為後摩爾時代關鍵技術路徑（來源：IEEE IRDS）。

注：因搜索結果未提供直接引用鍊接，以上來源機構為領域内權威平台，其公開文獻可進一步驗證技術細節。

網絡擴展解釋

疊栅結構是光伏電池領域的一種新型電極設計技術，通過簡化傳統栅線結構實現降本增效。以下是其核心要點：

一、結構組成

1. 種子層
   替代傳統副栅，由極薄的銀或銅層構成，與電池表面形成銀矽合金接觸，僅需極少量銀即可完成電流收集（）。
2. 三角導電絲
   取代主栅和焊帶，采用超高反射率的三角截面金屬絲，直接疊在種子層上導出電流（）。

二、省銀原理

1. 減少銀層厚度
   種子層僅需極薄銀層（甚至可無銀化），因電流通過隧穿效應傳輸，而非依賴厚銀層橫向導電（）。
2. 優化電流路徑
   電流從電池表面→種子層→導電絲垂直傳輸，無需傳統結構中副栅的橫向傳導，電阻降低（）。

三、技術優勢

1. 降本
   銀耗量減少約30%-50%，甚至可能完全去銀（）。
2. 增效
   三角導電絲遮光面積＜1%，提升光吸收率；電阻降低使組件功率增加（）。
3. 簡化工藝
   取消主副栅和焊帶焊接步驟，降低生産複雜度（）。

注：該技術目前主要應用于TOPCon等高效電池，需結合具體工藝驗證長期可靠性。更多技術細節可參考光伏領域權威期刊或專利文獻。

分類

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