叠栅结构英文解释翻译、叠栅结构的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 stacked gate structure; stacked structure

分词翻译：

叠的英语翻译：

fold; furl; pile up; repeat
【电】 overlay

栅的英语翻译：

bar

结构的英语翻译：

frame; structure; composition; configuration; construction; fabric; mechanism
【计】 frame work
【医】 constitution; formatio; formation; installation; structure; tcxture

专业解析

叠栅结构 (Dié shān jiégòu | Stacked Gate Structure)

在半导体器件（尤其是现代MOSFET和3D NAND闪存）中，"叠栅结构"指一种通过垂直堆叠多个栅极层或导电层形成的复杂器件构型。其核心目的是在有限平面空间内提升器件密度与性能，突破传统单层器件的物理限制。

一、结构特征

1. 多层堆叠：

   通过沉积、光刻和蚀刻工艺，在衬底上依次构建多个独立的栅极层（如多晶硅、金属栅）及绝缘层（如二氧化硅、高k介质）。例如，3D NAND闪存中可堆叠数十至数百层存储单元。

2. 垂直集成：

   各层功能单元（如晶体管的栅极、浮栅、控制栅）沿垂直方向排列，形成三维阵列，显著缩小单元尺寸。

二、核心功能

• 密度提升：

  通过垂直堆叠规避平面工艺的微缩极限，单位面积内可容纳更多晶体管（如3D NAND的存储密度可达传统2D结构的百倍以上）。

• 性能优化：

  多层栅极可独立调控载流子输运路径，降低串扰，提升开关速度与能效比。例如，FinFET中的叠栅设计可增强栅控能力，抑制短沟道效应。

三、技术优势

• 微缩延续：

  支撑摩尔定律的持续发展，解决7nm以下制程的漏电与热耗散问题。

• 功能集成：

  支持异质集成（如逻辑与存储单元堆叠），为存算一体等新兴架构提供硬件基础。

四、典型应用

1. 3D NAND闪存：

   存储单元（浮栅/电荷陷阱层）与控制栅垂直堆叠，实现TB级存储容量。

2. GAA晶体管：

   纳米片/纳米线栅极环绕沟道多层堆叠，替代FinFET成为3nm以下节点主流技术。

权威参考

• IEEE电子器件学会：

  对叠栅晶体管在亚5nm节点的可靠性挑战分析（来源：IEEE EDS）。

• 应用物理评论：

  综述3D NAND叠栅工艺中的材料与界面工程（来源：Applied Physics Reviews）。

• 半导体国际技术路线图（IRDS）：

  定义叠栅结构为后摩尔时代关键技术路径（来源：IEEE IRDS）。

注：因搜索结果未提供直接引用链接，以上来源机构为领域内权威平台，其公开文献可进一步验证技术细节。

网络扩展解释

叠栅结构是光伏电池领域的一种新型电极设计技术，通过简化传统栅线结构实现降本增效。以下是其核心要点：

一、结构组成

1. 种子层
   替代传统副栅，由极薄的银或铜层构成，与电池表面形成银硅合金接触，仅需极少量银即可完成电流收集（）。
2. 三角导电丝
   取代主栅和焊带，采用超高反射率的三角截面金属丝，直接叠在种子层上导出电流（）。

二、省银原理

1. 减少银层厚度
   种子层仅需极薄银层（甚至可无银化），因电流通过隧穿效应传输，而非依赖厚银层横向导电（）。
2. 优化电流路径
   电流从电池表面→种子层→导电丝垂直传输，无需传统结构中副栅的横向传导，电阻降低（）。

三、技术优势

1. 降本
   银耗量减少约30%-50%，甚至可能完全去银（）。
2. 增效
   三角导电丝遮光面积＜1%，提升光吸收率；电阻降低使组件功率增加（）。
3. 简化工艺
   取消主副栅和焊带焊接步骤，降低生产复杂度（）。

注：该技术目前主要应用于TOPCon等高效电池，需结合具体工艺验证长期可靠性。更多技术细节可参考光伏领域权威期刊或专利文献。

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