单位位错英文解释翻译、单位位错的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 unit dislocation

分词翻译：

单的英语翻译：

odd; single
【医】 azygos; mon-; mono-; uni-

位的英语翻译：

digit; location; place; potential; throne
【计】 D
【化】 bit
【医】 P; position
【经】 bit

位错的英语翻译：

【化】 dislocation; line defects; linear defects

专业解析

单位位错（Unit Dislocation）的汉英词典角度详解

1. 中文定义与核心概念

单位位错是晶体材料中最基本、不可再分解的位错类型。在中文语境中：

“位” 指原子在晶体点阵中的位置；
“错” 表示原子排列偏离理想周期性的缺陷状态；
“单位” 强调其伯格斯矢量（Burgers Vector）的最小性，即该矢量等于晶体点阵的最短平移矢量（如简单立方晶体中的<100>方向矢量）。其存在会导致晶格局部畸变，影响材料的力学与电学性质。

2. 英文定义与术语解析（Unit Dislocation）

英文术语由两部分构成：

Dislocation（位错）：源自拉丁语 dislocare（位移），描述晶体中原子列的不连续排列；
Unit（单位）：指其伯格斯矢量 $vec{b}$ 的模长等于点阵常数（Lattice Parameter），即 $|vec{b}| = a$（$a$ 为晶格常数）。例如在面心立方（FCC）晶体中，单位位错的伯格斯矢量为 $frac{a}{2}langle110rangle$，代表滑移所需的最小位移矢量。

3. 物理本质与特征

单位位错的核心判定依据是其伯格斯矢量的不可约性：

伯格斯矢量 $vec{b}$ 的取值必须平行于密排方向，且长度等于该方向原子间距；
若 $vec{b}$ 可分解为两个更小矢量（如 $vec{b}_1 + vec{b}2$），则称为“部分位错”（Partial Dislocation），单位位错需满足 $|vec{b}|{text{min}}$ 条件；
在透射电镜（TEM）观测中，单位位错表现为清晰的线缺陷，其应变场范围与 $|vec{b}|$ 成正比。

4. 材料科学意义

单位位错是塑性变形的载体，直接影响材料性能：

滑移机制：单位位错沿密排面滑移导致晶体塑性形变（如铜晶体的{111}面滑移）；
强化效应：位错密度升高会阻碍位错运动，提升材料强度（如加工硬化现象）；
位错反应：单位位错可通过反应形成更稳定的组态（如FCC晶体中 $frac{a}{2}[bar{1}10] + frac{a}{6}[11bar{2}] rightarrow frac{a}{6}[21bar{1}]$）。

权威参考文献：

冯端, 《材料科学导论》第4章晶体缺陷, 高等教育出版社. 链接
Hull, D. & Bacon, D.J., Introduction to Dislocations (5th ed.), Butterworth-Heinemann. 链接
中国材料研究学会, 《材料科学术语标准》. 链接
Hirth, J.P. & Lothe, J., Theory of Dislocations, Wiley. 链接

网络扩展解释

单位位错是晶体缺陷研究中的一个重要概念，具体定义及相关特性如下：

1.基本定义

单位位错（也称特征位错）是指柏氏矢量（Burgers vector）等于晶体中最短的点阵矢量的位错。柏氏矢量是描述位错导致晶体原子排列畸变的矢量参数，其方向与大小直接影响位错的性质。

2.分类与对比

根据柏氏矢量与点阵矢量的关系，位错可分为：

单位位错：柏氏矢量b 恰好等于晶体中最短的点阵矢量（如简单立方晶体中的[ b = alangle100rangle ]）。
全位错：柏氏矢量为点阵矢量的整数倍，滑移后晶体原子排列不变。
不全位错：柏氏矢量不等于点阵矢量的整数倍，滑移后原子排列规律改变。

3.稳定性与能量

位错能量与其柏氏矢量平方（( E propto b )）成正比，因此单位位错因b最小而最稳定。例如，面心立方（FCC）晶体中单位位错的柏氏矢量为[ frac{a}{2}langle110rangle ]，这是其最短的点阵矢量。

4.实际意义

单位位错是晶体塑性变形的基础载体，其运动（滑移或攀移）主导了材料的力学行为。例如，金属的延展性与位错滑移密切相关。

总结

单位位错是晶体缺陷的核心概念之一，其柏氏矢量的特殊性决定了其在材料科学中的基础地位。如需更深入的理论推导或实际案例，可参考晶体学教材或相关论文。