單片微電路結構英文解釋翻譯、單片微電路結構的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 monobrids construction

分詞翻譯：

單的英語翻譯：

odd; single
【醫】 azygos; mon-; mono-; uni-

片的英語翻譯：

flake; parcel; partial; patch; piece; slice
【計】 slice
【醫】 disc; disci; discus; disk; flap; piece
【經】 card

微電路的英語翻譯：

microcircuit
【計】 microcircuit

結構的英語翻譯：

frame; structure; composition; configuration; construction; fabric; mechanism
【計】 frame work
【醫】 constitution; formatio; formation; installation; structure; tcxture

專業解析

單片微電路結構（Monolithic Microcircuit Structure）指在單一、完整的半導體基片（通常是矽晶圓）上，通過平面工藝集成制造出所有有源元件（如晶體管）、無源元件（如電阻、電容）及其互連導線，形成一個不可分割的、具備完整電路功能的微型結構體。以下是其詳細解釋：

技術定義與核心特征
- 單片 (Monolithic): 強調整個電路構建在一塊連續的半導體襯底材料内部或表面，各元件并非物理分離後組裝，而是在制造過程中通過光刻、摻雜、薄膜沉積等工藝直接在基片上形成，構成一個不可分割的實體。來源：IEEE Xplore Digital Library。
- 微電路 (Microcircuit): 指電路尺寸微小，集成度高。現代單片微電路（即集成電路）可在指甲蓋大小的芯片上集成數十億個晶體管及其互連。來源：Semiconductor Industry Association (SIA) 行業報告。
- 結構 (Structure): 指電路内部元件（如PN結、MOS溝道、多晶矽栅、金屬互連線層、介質隔離層等）的物理布局、幾何形狀、材料組成及其相互連接關系的三維物理構成。這種結構決定了電路的電氣性能和功能。來源：IEEE Transactions on Electron Devices。
制造工藝基礎單片微電路結構的實現依賴于平面工藝技術（Planar Process Technology）。該技術包括一系列步驟：氧化生長絕緣層、光刻定義圖形、離子注入或擴散進行摻雜形成有源區、化學氣相沉積形成導電層和多層互連、蝕刻形成特定結構等。所有步驟都在同一晶圓片上進行，實現高精度、批量化生産。來源：Microelectronic Fabrication 經典教材 (如 Jaeger/Blalock)。
關鍵優勢
- 微型化與高集成度：所有元件集成在微小芯片上，極大減小體積和重量。來源：International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) 曆史報告。
- 高性能與低功耗：元件間距極小，互連線短，信號傳輸延遲低，開關速度快，整體功耗相對分立元件電路顯著降低。來源：IEEE Journal of Solid-State Circuits。
- 高可靠性與低成本：避免了分立元件電路的焊接點和大量外部連線，減少了潛在的故障點；批量化的晶圓加工大幅降低了單個電路的成本。來源：Electronics Reliability Handbook。
應用場景單片微電路結構是現代幾乎所有電子設備的核心，應用于：
- 中央處理器 (CPU)、圖形處理器 (GPU)、内存芯片 (DRAM, Flash)。
- 模拟集成電路（如運算放大器、電源管理芯片）。
- 數字信號處理器 (DSP)、微控制器 (MCU)。
- 射頻集成電路 (RFIC)、傳感器接口芯片等。來源：IEEE Spectrum 技術評論。

網絡擴展解釋

“單片微電路結構”是電子工程領域的專業術語，指将全部電子元件（如晶體管、電阻、電容等）及其互連線路集成在單一半導體基片上的微型化電路形式。以下從核心概念和特點兩方面進行解釋：

一、核心概念

單片（Monolithic）
源自希臘語“mono”（單一）和“lithos”（石頭），指所有元件通過平面工藝（如光刻、擴散）在單塊半導體晶圓（通常為矽）上制造完成，而非通過分立元件組裝。
微電路（Microcircuit）
強調電路尺寸微型化，通過半導體工藝實現納米級元件集成，例如現代CPU芯片可容納數百億個晶體管。

二、結構特點

層級集成
包含基片層（矽襯底）、元件層（晶體管等）、金屬互連層（鋁/銅導線）、絕緣層（二氧化矽）等多層結構，通過光刻和刻蝕技術堆疊。
優勢與挑戰
- 優勢：高可靠性（減少焊接點）、低功耗、高頻特性好，適用于航天、醫療等嚴苛環境。
- 挑戰：設計複雜度高，需協同優化元件布局、散熱和信號完整性。

示例應用：智能手機中的SoC（系統級芯片）集成了CPU、GPU、内存控制器等模塊，正是單片微電路結構的典型代表。這種結構支撐了摩爾定律下電子設備性能的持續提升，但也面臨量子效應等物理極限的挑戰。