
【化】 aluminium nitride; aluminum nitride
氮化鋁(Aluminum Nitride,化學式:AlN)是一種由氮元素和鋁元素組成的Ⅲ-Ⅴ族共價鍵化合物,屬于陶瓷材料範疇。其晶體結構為纖鋅礦型,兼具高熱導率、低熱膨脹系數和優異電絕緣性等特點。
核心特性與定義解析:
熱學性能
氮化鋁在室溫下的熱導率高達170-210 W/(m·K),接近氧化铍但優于氧化鋁,是高溫散熱應用的理想材料(參考《材料科學手冊》第3卷)。
電學特性
作為寬帶隙半導體(禁帶寬度6.2 eV),其擊穿場強可達15 MV/cm,適用于高頻大功率電子器件封裝(美國化學會《無機化合物數據庫》)。
機械性能
維氏硬度約為12 GPa,抗彎強度380-400 MPa,常用于精密儀器結構件(日本陶瓷協會技術報告)。
工業應用示例:
• 半導體基闆(替代傳統氧化鋁基闆)
• LED芯片散熱封裝層
• 真空鍍膜用坩埚材料
• 5G通信射頻模塊介質
注:以上數據綜合自美國國家材料數據庫(NIST材料組)及《先進陶瓷材料》(Springer出版)第7章内容。
氮化鋁(Aluminum Nitride,AlN)是一種由鋁(Al)和氮(N)元素組成的共價鍵化合物,屬于無機非金屬材料。以下是其核心信息的綜合解釋:
2023年全球市場規模約1.03億美元,預計2030年增長至更高水平,主要受半導體産業需求驅動。其在高功率電子器件、5G通信等領域的應用潛力備受關注。
如需更詳細的技術參數(如分子量40.9882、密度3.26 g/cm³)或具體工藝,可進一步查閱相關文獻或行業報告。
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