
【化】 aluminium nitride; aluminum nitride
氮化铝(Aluminum Nitride,化学式:AlN)是一种由氮元素和铝元素组成的Ⅲ-Ⅴ族共价键化合物,属于陶瓷材料范畴。其晶体结构为纤锌矿型,兼具高热导率、低热膨胀系数和优异电绝缘性等特点。
核心特性与定义解析:
热学性能
氮化铝在室温下的热导率高达170-210 W/(m·K),接近氧化铍但优于氧化铝,是高温散热应用的理想材料(参考《材料科学手册》第3卷)。
电学特性
作为宽带隙半导体(禁带宽度6.2 eV),其击穿场强可达15 MV/cm,适用于高频大功率电子器件封装(美国化学会《无机化合物数据库》)。
机械性能
维氏硬度约为12 GPa,抗弯强度380-400 MPa,常用于精密仪器结构件(日本陶瓷协会技术报告)。
工业应用示例:
• 半导体基板(替代传统氧化铝基板)
• LED芯片散热封装层
• 真空镀膜用坩埚材料
• 5G通信射频模块介质
注:以上数据综合自美国国家材料数据库(NIST材料组)及《先进陶瓷材料》(Springer出版)第7章内容。
氮化铝(Aluminum Nitride,AlN)是一种由铝(Al)和氮(N)元素组成的共价键化合物,属于无机非金属材料。以下是其核心信息的综合解释:
2023年全球市场规模约1.03亿美元,预计2030年增长至更高水平,主要受半导体产业需求驱动。其在高功率电子器件、5G通信等领域的应用潜力备受关注。
如需更详细的技术参数(如分子量40.9882、密度3.26 g/cm³)或具体工艺,可进一步查阅相关文献或行业报告。
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