
【化】 misplaced atoms
【化】 offset
【醫】 allotopia; dystopia; dystopy; malposition; transposition; trusion
【經】 slide
atom; atomy
【計】 atom
【化】 atom
【醫】 atom
在材料科學與晶體學領域,"錯位原子"(Cuòwèi yuánzǐ)指晶體結構中偏離其規則晶格位置的原子。這種現象通常與位錯(Dislocation)這一線缺陷密切相關,是影響材料力學性能(如塑性變形)的核心因素。以下是其漢英對照解析及學術解釋:
漢英對照
注:直譯為 "Misplaced Atom",但學術語境更常用 "Atom in Dislocation Core" 或 "Dislocated Atom"
科學本質
錯位原子存在于位錯線周圍的畸變區(Distortion Zone)。以刃位錯為例,晶體中插入半原子面時,其邊緣區域的原子無法保持理想晶格排列,形成局部壓縮或拉伸區,這些原子即稱為錯位原子 。
《材料科學基礎》(Fundamentals of Materials Science):
"位錯核心的原子失去周期性排列,産生高達±10%的晶格應變,此類原子統稱錯位原子。"
來源:Callister, W.D. Jr., Rethwisch, D.G. Materials Science and Engineering: An Introduction. 10th ed., Wiley, 2018.
國際晶體學聯合會(IUCr)術語庫:
"Dislocated atoms exhibit non-equilibrium positions due to topological defects, quantified by Burgers vector."
來源:International Union of Crystallography, Crystallographic Terminology Database.
中文術語 | 英文對應 | 學術釋義 |
---|---|---|
錯位原子 | Dislocated Atom | 受位錯應力場作用而偏離理想晶格位置的原子 |
位錯核心 | Dislocation Core | 位錯線周圍1-2納米寬的高畸變區,容納錯位原子 |
伯格斯矢量 | Burgers Vector | 表征位錯導緻晶格畸變程度與方向的物理量($vec{b}$) |
公式補充
位錯導緻的原子位移場可用彈性力學模型描述。刃位錯的位移分量公式為:
$$ u_x = frac{b}{2pi} left[ tan^{-1}frac{y}{x} + frac{xy}{2(1- u)(x+y)} right]
u_y = -frac{b}{2pi} left[ frac{1-2 u}{4(1- u)} ln(x+y) + frac{x-y}{4(1- u)(x+y)} right] $$
其中 $b$ 為伯格斯矢量模量,$ u$ 為泊松比,$(x,y)$ 為原子坐标 。
“錯位原子”是一個化學領域的專業術語,其核心含義指原子在物質結構中偏離了原本應處的位置。以下是詳細解釋:
基本含義
根據化學術語定義,錯位原子(misplaced atoms)指原子在晶格、分子或其他結構中的排列發生偏差,例如晶體缺陷中原子未處于理論上的理想位置。這種偏離可能由材料制備過程中的應力、溫度變化或雜質引入導緻。
應用領域
在材料科學中,錯位原子的存在會影響材料的物理性質,如金屬的強度、半導體的導電性等。例如,金屬晶格中的原子錯位可能阻礙位錯移動,從而提高材料硬度(可結合“錯位”指位置異常變動的基本概念理解)。
補充說明
需注意,該術語的權威解釋多見于晶體學或材料學文獻,當前搜索結果中僅有提及英文翻譯及化學分類,建議進一步查閱《材料科學基礎》等專業書籍确認其具體機制和實例。
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