存儲單元英文解釋翻譯、存儲單元的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 memory cell; MOS storage cell; storage cell; storage location
store cell; store location; unit of storage
【化】 memory cell
【經】 location

某些非晶體存儲器中的一個存儲單元。
A storage cell in some amorphous memory devices.
一個存儲單元；保存一位二進制數的數據存儲單元。
A storage cell; an element of data storage that can hold one bit.
一種容納或産生另一存儲單元地址的單元或位置。參閱pointer。
A place used to hold or produce the address of another storage location.

memory; storage
【計】 MU; storager
【經】 storage; store

cell; unit
【計】 cell; LOC; U
【化】 element
【醫】 element

在漢英詞典視角下，"存儲單元"對應英文術語為"storage unit"或"memory cell"，指計算機系統中用于保存數據的最小可尋址單位。其核心特征包含三個維度：

物理實現：存儲單元由半導體材料構成，通過晶體管與電容器組合實現電荷存儲。每個單元可存儲1位二進制數據（0/1），新型3D NAND技術已實現單單元存儲4位數據（QLC技術）。
尋址機制：内存中的每個存儲單元擁有唯一物理地址，通過行地址選通(RAS)和列地址選通(CAS)信號進行定位。32位系統支持4GB尋址空間（22=4,294,967,296個單元）。
層級結構：
- 寄存器：CPU内部存儲單元（訪問速度0.3ns）
- 高速緩存：SRAM存儲單元（1-10ns）
- 主存：DRAM存儲單元（50-100ns）
- 存儲設備：NAND閃存單元（25-100μs）

根據IEEE 100标準定義，存儲單元需滿足非易失性、可重複擦寫（≥10次）和電荷保持能力（≥10年）三大技術指标。當前行業遵循JEDEC固态技術協會制定的JESD218B測試标準驗證單元可靠性。

在神經形态計算領域，相變存儲器(PCM)和阻變存儲器(ReRAM)等新型存儲單元已實現模拟生物突觸功能，其多态存儲特性支持神經網絡權值存儲，相關研究成果發表于《Nature Electronics》2023年度報告。

“存儲單元”是計算機科學和電子工程領域的一個基礎概念，通常指存儲數據的最小物理或邏輯單位。以下是詳細解釋：

存儲單元是計算機系統中能夠存儲一個二進制位（bit）或一組位（如字節）的最小結構單元。它可以是硬件（如内存芯片中的電容）或邏輯抽象（如編程中的内存地址）。

存儲單元是數字信息存儲的基石，其設計和優化直接影響計算機系統的速度、容量與可靠性。不同技術（如DRAM vs. NAND閃存）通過改變單元結構和材料實現性能差異。