
【電】 film store
magnetism
film; membrane; theca; velamen; velum
【化】 membrane
【醫】 coat; envelope; film; lemma; membranae membranae; membranae membrane
panniculus; theca; thecae; tunic; tunica; velamen; velamenta
velamentum
【經】 storage unit
磁膜儲存器(Magnetic Film Memory)是一種基于磁性薄膜材料實現數據存儲的計算機存儲設備。其核心原理是利用磁疇方向變化記錄二進制信息,通過電磁感應效應完成讀寫操作。該技術廣泛應用于20世紀中後期的計算機内存系統,具有非易失性存儲特性。
從結構上看,磁膜儲存器由沉積在非磁性基闆上的亞微米級磁性薄膜構成,存儲單元通常呈矩陣排列。美國國家标準技術研究院(NIST)在《數字存儲設備術語标準》中将其定義為"由平面磁性介質構成的二進制存儲裝置"(NIST SP 800-88)。讀寫操作通過平面線圈産生的交變磁場完成,存取時間可達微秒級。
該存儲技術相較于傳統磁芯存儲器,具有三大優勢:
在軍事和航天領域,磁膜儲存器因其抗輻射特性被廣泛應用于飛行數據記錄系統。英國物理學會《應用物理期刊》的研究表明,钴鎳合金薄膜在極端溫度條件下仍能保持穩定的磁滞回線特性(J. Phys. D: Appl. Phys. 1972)。現代相變存儲器技術仍部分繼承其磁記錄原理。
"磁膜儲存器"(拼音:cí mó cún chǔ qì)是一種計算機存儲技術,其英文對應術語為"magnetic film memory"或"thin-film memory"。以下是詳細解釋:
技術定義
指采用磁性薄膜材料作為存儲介質的存儲器,屬于早期計算機存儲技術。這類存儲器通過控制磁性薄膜的磁化方向來記錄二進制數據,具有非易失性存儲特性。
工作原理
利用磁性材料(如鎳鐵合金)制成的薄膜,在外加磁場作用下改變磁化方向,通過檢測磁化狀态實現數據讀取。薄膜厚度通常在微米或納米級别,比傳統磁芯更輕薄。
曆史應用
在20世紀60-70年代曾用于早期計算機主存儲器,相比磁芯存儲器具有更高的存取速度(微秒級響應)和體積優勢,但後來被半導體存儲器取代。
現代關聯
該技術原理仍影響現代存儲設備,如硬盤驅動器的磁性塗層技術、磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)等新型非易失性存儲器的研發。
注:由于該術語屬于較早期的技術詞彙,當前主流計算機系統已不再使用此類存儲器架構。如需進一步驗證技術細節,建議查閱計算機存儲技術發展史相關文獻。
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