
【电】 film store
magnetism
film; membrane; theca; velamen; velum
【化】 membrane
【医】 coat; envelope; film; lemma; membranae membranae; membranae membrane
panniculus; theca; thecae; tunic; tunica; velamen; velamenta
velamentum
【经】 storage unit
磁膜储存器(Magnetic Film Memory)是一种基于磁性薄膜材料实现数据存储的计算机存储设备。其核心原理是利用磁畴方向变化记录二进制信息,通过电磁感应效应完成读写操作。该技术广泛应用于20世纪中后期的计算机内存系统,具有非易失性存储特性。
从结构上看,磁膜储存器由沉积在非磁性基板上的亚微米级磁性薄膜构成,存储单元通常呈矩阵排列。美国国家标准技术研究院(NIST)在《数字存储设备术语标准》中将其定义为"由平面磁性介质构成的二进制存储装置"(NIST SP 800-88)。读写操作通过平面线圈产生的交变磁场完成,存取时间可达微秒级。
该存储技术相较于传统磁芯存储器,具有三大优势:
在军事和航天领域,磁膜储存器因其抗辐射特性被广泛应用于飞行数据记录系统。英国物理学会《应用物理期刊》的研究表明,钴镍合金薄膜在极端温度条件下仍能保持稳定的磁滞回线特性(J. Phys. D: Appl. Phys. 1972)。现代相变存储器技术仍部分继承其磁记录原理。
"磁膜储存器"(拼音:cí mó cún chǔ qì)是一种计算机存储技术,其英文对应术语为"magnetic film memory"或"thin-film memory"。以下是详细解释:
技术定义
指采用磁性薄膜材料作为存储介质的存储器,属于早期计算机存储技术。这类存储器通过控制磁性薄膜的磁化方向来记录二进制数据,具有非易失性存储特性。
工作原理
利用磁性材料(如镍铁合金)制成的薄膜,在外加磁场作用下改变磁化方向,通过检测磁化状态实现数据读取。薄膜厚度通常在微米或纳米级别,比传统磁芯更轻薄。
历史应用
在20世纪60-70年代曾用于早期计算机主存储器,相比磁芯存储器具有更高的存取速度(微秒级响应)和体积优势,但后来被半导体存储器取代。
现代关联
该技术原理仍影响现代存储设备,如硬盘驱动器的磁性涂层技术、磁阻式随机存取存储器(MRAM)等新型非易失性存储器的研发。
注:由于该术语属于较早期的技术词汇,当前主流计算机系统已不再使用此类存储器架构。如需进一步验证技术细节,建议查阅计算机存储技术发展史相关文献。
【别人正在浏览】