二極管接法晶體管英文解釋翻譯、二極管接法晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diode-connected transistor

分詞翻譯：

二的英語翻譯：

twin; two
【計】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【醫】 bi-; bis-; di-; duo-

極的英語翻譯：

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【醫】 per-; pole; polus

管接的英語翻譯：

【電】 union

法的英語翻譯：

dharma; divisor; follow; law; standard
【醫】 method
【經】 law

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

二極管接法晶體管（Diode-Connected Transistor）是一種将三極管特定電極短接後形成的兩端器件，其特性近似于二極管，但具有三極管的物理結構。該接法常見于雙極型晶體管（BJT）和場效應管（FET）中，具體實現方式如下：

BJT二極管接法
将雙極型晶體管的基極與集電極短接（NPN型為例），此時基極-發射極結形成正向偏置二極管，而集電極-基極結被短路。這種結構常用于限幅電路或溫度補償電路，其正向壓降約為0.7V（矽管）。
FET二極管接法
在場效應管中，通常将栅極與漏極相連（以NMOS為例），使栅-源電壓（V_GS）等于漏-源電壓（V_DS）。此時器件工作在飽和區，呈現近似二極管的指數型電壓-電流特性，適用于低壓穩壓或射頻檢波電路。
特性與優勢
二極管接法晶體管相較于普通二極管，具有更精确的匹配性（同一芯片上的晶體管參數一緻性高）和可控的溫度系數，因此在集成電路設計中廣泛用于基準電壓生成和電流鏡結構。其電流方程可表示為：

$$

I_C = IS left( e^{frac{V{BE}}{nV_T}} -1 right)

$$

其中$I_S$為反向飽和電流，$V_T$為熱電壓。
應用場景

模拟集成電路中的有源負載
溫度傳感器中的補償元件
ESD保護電路的快速響應單元

該技術最早由貝爾實驗室在1950年代提出，相關理論詳見固态器件物理經典文獻。實際電路設計時可參考《微電子電路》（Sedra/Smith）第3章對二極管接法晶體管的SPICE建模分析。

網絡擴展解釋

二極管接法晶體管是指将晶體管通過特定連接方式改造成類似二極管功能的器件。以下是詳細解釋：

一、基本概念

晶體管與二極管的差異
晶體管是三端器件（基極、發射極、集電極），具有放大和開關功能；二極管是兩端器件（陽極、陰極），僅允許單向導電。
二極管接法的實現方式
将晶體管的兩個電極短接（如基極與集電極短接），使晶體管僅保留一個PN結的功能，等效為二極管。例如，雙極型晶體管（BJT）的發射結可作為二極管使用。

二、工作原理

結構簡化：通過短接電極，晶體管退化為單一PN結，僅保留單向導電特性。
特性表現：與普通二極管類似，正向偏置導通，反向偏置截止，但可能因晶體管材料不同（如矽/鍺）導緻導通電壓差異。

三、應用場景

替代标準二極管
在集成電路設計中，若需節省元件或匹配工藝，可用晶體管改造成二極管。
溫度補償
晶體管接法的二極管與電路中其他晶體管溫度特性一緻，可減少溫漂影響。
特殊性能需求
某些高頻或低噪聲電路中，晶體管接法的二極管可能比傳統二極管性能更優。

四、注意事項

參數差異：接法不同可能導緻反向擊穿電壓、結電容等參數與标準二極管存在差異。
功耗控制：需确保短接後的電流不超過晶體管極限值。

總結來說，二極管接法晶體管是通過簡化晶體管結構實現的二極管功能器件，常用于特定電路優化場景。如需更深入的技術細節，可參考、2、4等來源。