二极管接法晶体管英文解释翻译、二极管接法晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diode-connected transistor

分词翻译：

二的英语翻译：

twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-

极的英语翻译：

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【医】 per-; pole; polus

管接的英语翻译：

【电】 union

法的英语翻译：

dharma; divisor; follow; law; standard
【医】 method
【经】 law

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

二极管接法晶体管（Diode-Connected Transistor）是一种将三极管特定电极短接后形成的两端器件，其特性近似于二极管，但具有三极管的物理结构。该接法常见于双极型晶体管（BJT）和场效应管（FET）中，具体实现方式如下：

BJT二极管接法
将双极型晶体管的基极与集电极短接（NPN型为例），此时基极-发射极结形成正向偏置二极管，而集电极-基极结被短路。这种结构常用于限幅电路或温度补偿电路，其正向压降约为0.7V（硅管）。
FET二极管接法
在场效应管中，通常将栅极与漏极相连（以NMOS为例），使栅-源电压（V_GS）等于漏-源电压（V_DS）。此时器件工作在饱和区，呈现近似二极管的指数型电压-电流特性，适用于低压稳压或射频检波电路。
特性与优势
二极管接法晶体管相较于普通二极管，具有更精确的匹配性（同一芯片上的晶体管参数一致性高）和可控的温度系数，因此在集成电路设计中广泛用于基准电压生成和电流镜结构。其电流方程可表示为：

$$

I_C = IS left( e^{frac{V{BE}}{nV_T}} -1 right)

$$

其中$I_S$为反向饱和电流，$V_T$为热电压。
应用场景

模拟集成电路中的有源负载
温度传感器中的补偿元件
ESD保护电路的快速响应单元

该技术最早由贝尔实验室在1950年代提出，相关理论详见固态器件物理经典文献。实际电路设计时可参考《微电子电路》（Sedra/Smith）第3章对二极管接法晶体管的SPICE建模分析。

网络扩展解释

二极管接法晶体管是指将晶体管通过特定连接方式改造成类似二极管功能的器件。以下是详细解释：

一、基本概念

晶体管与二极管的差异
晶体管是三端器件（基极、发射极、集电极），具有放大和开关功能；二极管是两端器件（阳极、阴极），仅允许单向导电。
二极管接法的实现方式
将晶体管的两个电极短接（如基极与集电极短接），使晶体管仅保留一个PN结的功能，等效为二极管。例如，双极型晶体管（BJT）的发射结可作为二极管使用。

二、工作原理

结构简化：通过短接电极，晶体管退化为单一PN结，仅保留单向导电特性。
特性表现：与普通二极管类似，正向偏置导通，反向偏置截止，但可能因晶体管材料不同（如硅/锗）导致导通电压差异。

三、应用场景

替代标准二极管
在集成电路设计中，若需节省元件或匹配工艺，可用晶体管改造成二极管。
温度补偿
晶体管接法的二极管与电路中其他晶体管温度特性一致，可减少温漂影响。
特殊性能需求
某些高频或低噪声电路中，晶体管接法的二极管可能比传统二极管性能更优。

四、注意事项

参数差异：接法不同可能导致反向击穿电压、结电容等参数与标准二极管存在差异。
功耗控制：需确保短接后的电流不超过晶体管极限值。

总结来说，二极管接法晶体管是通过简化晶体管结构实现的二极管功能器件，常用于特定电路优化场景。如需更深入的技术细节，可参考、2、4等来源。