多數載流子英文解釋翻譯、多數載流子的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 majority carriers

分詞翻譯：

多數的英語翻譯：

majority; many; multiplicity; multitude
【醫】 multi-; pluri-; poly-

載流子的英語翻譯：

【化】 current carrier

專業解析

多數載流子 (Duōshù Zàiliúzǐ / Majority Carrier)

在半導體物理學中，多數載流子指在特定類型的半導體材料中占主導地位的電荷載流子（電子或空穴）。其濃度顯著高于另一種載流子，決定了材料的導電類型和主要電學特性。

核心概念解析

定義與形成機制
- N型半導體：通過摻雜五價元素（如磷、砷）引入多餘電子，電子成為多數載流子，空穴為少數載流子。
- P型半導體：摻雜三價元素（如硼、铟）産生多餘空穴，空穴作為多數載流子，電子為少數載流子。
  多數載流子的濃度主要由摻雜濃度決定，遠高于本征載流子濃度（室溫矽中約 (10^{10} text{cm}^{-3})），典型摻雜濃度範圍為 (10^{15}-10^{18} text{cm}^{-3})。
物理意義與影響
- 主導半導體的導電性：電流主要由多數載流子輸運。
- 影響器件特性：如二極管正向導通、MOSFET溝道形成均依賴多數載流子的運動。
- 濃度差異：多數載流子濃度可高于少數載流子 (10) 倍以上，例如N型矽中電子濃度 (n_n approx N_D)（施主濃度），空穴濃度 (p_n = n_i / n_n)。

權威定義參考

半導體經典教材
施敏（S. M. Sze）在《半導體器件物理》中明确區分多數/少數載流子，強調摻雜對載流子分布的調控作用（來源：S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, Wiley）。

國家标準術語
GB/T 2900.66-2004《電工術語半導體器件和集成電路》将“多數載流子”定義為“在半導體中濃度較高的載流子”（來源：中國國家标準）。

英文對應術語

Majority Carrier：國際通用術語，與“多數載流子”完全對應。
反義詞：少數載流子（Minority Carrier）。

應用實例

N型矽：磷摻雜後，電子為多數載流子，導電率隨磷原子數量增加而上升。
P型砷化镓：鋅摻雜形成空穴主導導電，用于紅光LED的P區材料。

注：本文定義綜合經典教材、國家标準及行業共識，符合半導體物理學的規範表述。

網絡擴展解釋

多數載流子是半導體物理中的重要概念，指在特定類型半導體中占主導地位并主導導電的帶電粒子。以下是詳細解釋：

1.定義與基本概念

多數載流子（簡稱“多子”）是指在半導體材料中濃度較高、對導電起主要作用的載流子。例如：

N型半導體：通過摻入磷等五價元素，自由電子成為多數載流子，空穴為少數載流子。
P型半導體：通過摻入硼等三價元素，空穴成為多數載流子，電子為少數載流子。

2.載流子的類型

電子：帶負電的粒子，在N型半導體中占主導。
空穴：帶正電的“空缺位”，在P型半導體中占主導。

3.形成原因

多數載流子的濃度由摻雜決定：

摻雜五價元素（如磷）：為N型半導體提供多餘電子，顯著增加自由電子濃度。
摻雜三價元素（如硼）：為P型半導體産生空穴，使空穴濃度遠高于電子。

4.與少數載流子的區别

濃度差異：多子濃度由摻雜濃度決定，少子濃度則與溫度密切相關。
導電作用：多子主導半導體的導電性，少子對器件特性（如二極管反向電流）有重要影響。

5.應用意義

多數載流子的特性直接影響半導體器件的性能，例如：

二極管：利用PN結中多子的擴散形成單向導電性。
晶體管：通過控制多子濃度實現信號放大。

如需進一步了解載流子的微觀行為或具體器件原理，可參考半導體物理相關教材或權威資料。